CAB425M12XM3

CAB425M12XM3 1200 V, 425 A All-Silicon Carbide Switching-Optimized, Half-Bridge Module Technical Features VDS 1200 V IDS 425 A 5 4 3 2 Package 80 x 53 x 19 mm D • • • • High Power Density Footprint High Junction Temperature (175 °C) Operation Low Inductance (6.7 nH) Design Implements Switching-Optimized Third Generation SiC MOSFET Technology • Silicon Nitride Insulator and Copp...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
CAB425M12XM3 1200 V, 425 A All-Silicon Carbide Switching-Optimized, Half-Bridge Module Technical Features VDS 1200 V IDS 425 A 5 4 3 2 Package 80 x 53 x 19 mm D • • • • High Power Density Footprint High Junction Temperature (175 °C) Operation Low Inductance (6.7 nH) Design Implements Switching-Optimized Third Generation SiC MOSFET Technology • Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate V+ V+ G1 K1 C Mid Applications • • • • NTC2 Motor & Traction Drives Vehicle Fast Chargers Uninterruptible Power Supplies Smart-Grid / Grid-Tied Distributed Generation G2 NTC K2 NTC1 VB System Benefits • Terminal layout allows for direct bus bar connection without bends or bushings enabling a simple, low inductance design. • Isolated integrated temperature sensing enables high-level temperature protection. • Dedicated drain Kelvin pin enables direct voltage sensing for gate driver overcurrentTitle protection. A <Title> Size Document Number Custom<Doc> Key Parameters (TC = 25˚C unless otherwise specified) Drain-Source Voltage VGS max Gate-Source Voltage, Maximum Value -4 +19 VGS op Gate-Source Voltage, Recommended Operating Value -4 +15 Static 450 VGS = 15 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C Fig. 20 ISD DC Source-Drain Current Max. Note 450 260 ISD pulsed Maximum Pulsed Source-Drain Current 800 -40 AC frequency ≥ 1 Hz Note 1 VGS = 15 V, TC = 90 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C Note 2 800 Note 1 Note 2 V 358 DC Source-Drain Current (Body Diode) Maximum Virtual Junction Temperature Under Switching Conditions Test Conditions 1200 IDS pulsed Maximum Pulsed Drain-Source Current TVJ op Unit 2 VDS max DC Continuous Drain Current Typ. Sheet 3 Parameter IDS Min. 4 Symbol ISD BD 1 Thursday, April 11, 2019 Date: 5 175 A VGS = 15 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C VGS = - 4 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C tp max limited by TVJ op VGS = 15 V, TC = 25 ˚C °C If MOSFET body diode is not used, VGS max = -8/+19 V Assumes RTH JC = 0.13 °C/W and RDS on = 5.1 mΩ. Calculate PD = (TVJ – TC) / RTH JC. Calculate ID max = √(PD / RDS on) Rev. -, 2020-01-28 CAB425M12XM3 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703 Copyright ©2019 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree®, the Cree logo, Wolfspeed®, and the Wolfspeed logo are registered trademarks of Cree, Inc. PDF
Документация на CAB425M12XM3 

Wolfspeed CAB425M12XM3 SiC Power Module Datasheet Wolfspeed's CAB425M12XM3 silicon carbide power module maximizes power density while minimizing loop inductance and enabling simple power bussing

Дата модификации: 29.01.2020

Размер: 767.5 Кб

9 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    29 января 2021
    статья

    Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

    Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид–кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.