CAB425M12XM3
CAB425M12XM3
1200 V, 425 A All-Silicon Carbide
Switching-Optimized, Half-Bridge Module
Technical Features
VDS
1200 V
IDS
425 A
5
4
3
2
Package
80 x 53 x 19 mm
D
•
•
•
•
High Power Density Footprint
High Junction Temperature (175 °C) Operation
Low Inductance (6.7 nH) Design
Implements Switching-Optimized Third
Generation SiC MOSFET Technology
• Silicon Nitride Insulator and Copp...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: MOSFET силовой модуль
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьНапряжение сток-исток максимальное | ||
---|---|---|
Схема модуля | ||
Максимальный рабочий ток при 25°C | ||
Рабочий диапазон напряжений затвора | ||
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора | ||
Рабочая температура |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CAB425M12XM3
Wolfspeed CAB425M12XM3 SiC Power Module Datasheet Wolfspeed's CAB425M12XM3 silicon carbide power module maximizes power density while minimizing loop inductance and enabling simple power bussing
Дата модификации: 29.01.2020
Размер: 767.5 Кб
9 стр.
Публикации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.