CAB450M12XM3

MOSFET SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
CAB450M12XM3 1200V, 450A All-Silicon Carbide Conduction Optimized, Half-Bridge Module Technical Features 5 VDS 1200 V IDS 450 A 4 3 2 Package 80 x 53 x 19 mm D • • • • High Power Density Footprint High Junction Temperature (175 °C) Operation Low Inductance (6.7 nH) Design Implements Conduction Optimized Third Generation SiC MOSFET Technology • Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate V+ V+ G1 K1 C Mid Applications • • • • NTC2 Motor & Traction Drives Vehicle Fast Chargers Uninterruptable Power Supplies Smart-Grid / Grid-Tied Distributed Generation G2 NTC K2 NTC1 VB System Benefits • Terminal layout allows for direct bus bar connection without bends or bushings enabling a simple, low inductance design. • Isolated integrated temperature sensing enables high-level temperature protection. • Dedicated drain Kelvin pin enables direct voltage sensing for gate driver overcurrentTitle protection. A <Title> Size Document Number Custom<Doc> Key Parameters (TC = 25˚C unless otherwise specified) Drain-Source Voltage VGS max Gate-Source Voltage, Maximum Value -4 +19 VGS op Gate-Source Voltage, Recommended Op. Value -4 +15 Static 450 VGS = 15 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C Fig. 20 ISD DC Source-Drain Current Max. Note 450 225 ISD (pulsed) Maximum Pulsed Source-Drain Current 900 -40 AC frequency ≥ 1Hz. Note 1 VGS = 15 V, TC = 90 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C Note 2 900 Note 1 Note 2 V 409 DC Source-Drain Current (Body Diode) Maximum Virtual Junction Temperature under Switching Conditions Test Conditions 1200 IDS (pulsed) Maximum Pulsed Drain-Source Current TVJ op Unit 2 VDS max DC Continuous Drain Current Typ. Sheet 3 Parameter IDS Min. 4 Symbol ISD BD 1 Thursday, April 11, 2019 Date: 5 175 A VGS = 15 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C VGS = - 4 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C tPmax limited by Tjmax VGS = 15 V, TC = 25 ˚C °C If MOSFET body diode is not used, VGS max = -8/+19 V Assumes RTH JC = 0.11°C/W and RDS(on) = 4.6 mΩ. Calculate PD = (TVJ – TC) / RTH JC. Calculate ID_MAX = √(PD / RDS(on)) Rev. A, 2019-06-01 CAB450M12XM3 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703 Copyright ©2019 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree®, the Cree logo, Wolfspeed®, and the Wolfspeed logo are registered trademarks of Cree, Inc. PDF
Документация на CAB450M12XM3 

Cree CAB450M12XM3 SiC Power Module Public Datasheet Revision A

Дата модификации: 21.06.2019

Размер: 886.3 Кб

9 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    23 ноября
    статья

    Карбид кремния позволяет повысить КПД и удельную мощность ИБП с двойным преобразованием

    Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид–кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также... ...читать

    29 января 2021
    статья

    Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

    Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид–кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное... ...читать

    03 ноября 2020
    статья

    900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

    Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.