CAS120M12BM2

CAS120M12BM2 1.2kV, 13 mΩ All-Silicon Carbide Half-Bridge Module C2M MOSFET and Z-Rec® Diode 1.2 kV RDS(on) 13 mΩ Esw, Total @ 120A, 150 ˚C Features • • • • • • • VDS Package 2.1 mJ 62mm x 106mm x 30mm Ultra Low Loss High-Frequency Operation Zero Reverse Recovery Current from Diode Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Normally-off, Fail-safe Device Operation Ease of Parallelin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Максимальный рабочий ток при 100°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
CAS120M12BM2 1.2kV, 13 mΩ All-Silicon Carbide Half-Bridge Module C2M MOSFET and Z-Rec® Diode 1.2 kV RDS(on) 13 mΩ Esw, Total @ 120A, 150 ˚C Features • • • • • • • VDS Package 2.1 mJ 62mm x 106mm x 30mm Ultra Low Loss High-Frequency Operation Zero Reverse Recovery Current from Diode Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Normally-off, Fail-safe Device Operation Ease of Paralleling Copper Baseplate and Aluminum Nitride Insulator System Benefits • • • • • Enables Compact and Lightweight Systems High Efficiency Operation Mitigates Over-voltage Protection Reduced Thermal Requirements Reduced System Cost Applications • • • • • Induction Heating Solar and Wind Inverters DC/DC Converters Line Regen Drives Battery Chargers Part Number Package Marking CAS120M12BM2 Half-Bridge Module CAS120M12BM2 Test Conditions Notes Maximum Ratings (TC = 25˚C unless otherwise specified) Symbol BM2,Rev. - Value Unit VDSmax Drain - Source Voltage 1.2 kV VGSmax Gate - Source Voltage -10/+25 V Absolute maximum values VGSop Gate - Source Voltage -5/20 V Recommended operational values ID S120M12 Datasheet: CA Parameter ID(pulse) IF TJmax TC ,TSTG Continuous MOSFET Drain Current Pulsed Drain Current 193 138 480 Continuous Diode Forward Current 305 A A A 195 VGS = 20 V, TC = 25 ˚C VGS = 20 V, TC = 90 ˚C Fig. 26 Pulse width tp limited by TJ(max) VGS = -5 V, TC = 25 ˚C VGS = -5 V, TC = 90 ˚C Junction Temperature -40 to +150 ˚C Case and Storage Temperature Range -40 to +125 ˚C 5 kV AC, 50 Hz , 1 min Visol Case Isolation Voltage LStray Stray Inductance 15 nH Measured between terminals 2 and 3 PD Power Dissipation 925 W TC = 25 ˚C, TJ = 150 ˚C Subject to change without notice. www.cree.com Fig. 25 1 PDF
Документация на CAS120M12BM2 

Cree CAS120M12BM2 1.2-kV, 13-mΩ, All-Silicon Carbide, Half-Bridge Module

Дата модификации: 24.11.2020

Размер: 986.8 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    29 января 2021
    статья

    Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

    Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид–кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.