CAS120M12BM2

CAS120M12BM2 1200 V, 120 A All-Silicon Carbide High Performance, Switching Optimized, Half-Bridge Module Technical Features • • • • • • VDS 1200 V IDS 120 A Package 61.4 mm X 106.4 mm X 30 mm Industry Standard 62mm Footprint Ultra-Low Loss, High-Frequency Operation Zero Reverse Recovery from Diodes Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Normally-off, Fail-safe Device Operation Copper B...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Максимальный рабочий ток при 100°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
CAS120M12BM2 1200 V, 120 A All-Silicon Carbide High Performance, Switching Optimized, Half-Bridge Module Technical Features • • • • • • VDS 1200 V IDS 120 A Package 61.4 mm X 106.4 mm X 30 mm Industry Standard 62mm Footprint Ultra-Low Loss, High-Frequency Operation Zero Reverse Recovery from Diodes Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Normally-off, Fail-safe Device Operation Copper Baseplate and Aluminum Nitride Insulator Applications • • • • Railway & Traction Solar & Renewable Energy EV Charging Industrial Automation & Testing System Benefits • Fast Time-to-Market with Minimal Development Required for Transition from 62mm IGBT Packages • Increased System Efficiency, due to Low Switching & Conduction Losses of SiC Maximum Parameters (Verified by Design) Symbol Parameter VDS max Drain-Source Voltage VGS max Gate-Source Voltage, Maximum Value -10 +25 VGS op Gate-Source Voltage, Recommended Op. Value -5 +20 IDS DC Continuous Drain-Source Current ISD DC Continuous Source-Drain Current 460 IF Schottky Diode DC Forward Current 312 Typ. Max. Unit Test Conditions V Transient, <100 ns 200 VGS = 20 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 150 ˚C Fig. 21 144 VGS = 20 V, TC = 90 ˚C, TVJ ≤ 150 ˚C A VGS = 20 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 150 ˚C VGS = -5 V, TC = 25 ˚C, TVJ ≤ 150 ˚C VGS = 20 V IF (pulsed) Maximum Pulsed Diode Current 480 VGS = -5 V -40 Fig. 33 Static 480 Maximum Virtual Junction Temperature under Switching Conditions Note 1200 IDS (pulsed) Maximum Pulsed Drain-Source Current TVJ op 1 Min. 150 TVJ = 25 ˚C; tPmax limited by TVJmax °C Rev. 1, 2020-11-11 CAS120M12BM2 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703 Copyright ©2020 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree®, the Cree logo, Wolfspeed®, and the Wolfspeed logo are registered trademarks of Cree, Inc. PDF
Документация на CAS120M12BM2 

CAS120M12BM2 Rev.1 Public datasheet Revision

Дата модификации: 14.11.2020

Размер: 961.7 Кб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    23 ноября
    статья

    Карбид кремния позволяет повысить КПД и удельную мощность ИБП с двойным преобразованием

    Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид–кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также... ...читать

    29 января 2021
    статья

    Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

    Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид–кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.