BAS40W-7

Diodes
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 5 пФ, в корпусе SC703, производства Diodes (DIODES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SC703
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Карточка
товара
P= BAT54CLT1G (ONS)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
A- BAS40WT-TP (MCC)
 
SC703 DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323

Файлы 1

показать свернуть
SPICE MODELS: BAS40W BAS40W-04 BAS40W-05 BAS40W-06 BAS40W/-04/-05/-06 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features • • • • • Low Forward Voltage Drop Fast Switching SOT-323 Ultra-Small Surface Mount Package A PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection C Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3) B C Mechanical Data • • Dim Min Max A 0.25 0.40 B 1.15 1.35 C 2.00 2.20 D 0.65 Nominal E B Case: SOT-323 G E 0.30 0.40 Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 H G 1.20 1.40 H 1.80 2.20 0.10 • • • Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C • • • Polarity: See Diagrams Below K M Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 J Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering Information, Note 5, on Page 3 D F L Marking: See Diagrams Below &Page 3 0.0 0.90 1.00 L 0.25 0.40 M 0.10 0.18 α 0° 8° All Dimensions in mm Weight: 0.006 grams (approximate) BAS40W Marking: K43 J K TOP VIEW BAS40W-04 Marking: K44 BAS40W-05 Marking: K45 BAS40W-06 Marking: K46 Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified Characteristic Symbol Value Unit VRRM VRWM VR 40 V Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage VR(RMS) 28 V IFM 200 mA IFSM 600 mA Pd 200 mW RθJA 625 °C/W Tj -55 to +125 °C TSTG -65 to +150 °C Forward Continuous Current (Note 1) Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s Power Dissipation (Note 1) Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1) Operating Temperature Range Storage Temperature Range Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified Characteristic Min Max 40 ⎯ V VF ⎯ 380 1000 mV mV IF = 1.0mA, tp < 300µs IF = 40mA, tp < 300µs Leakage Current (Note 2) IR ⎯ 200 nA VR = 30V Total Capacitance CT ⎯ 5.0 pF VR = 0, f = 1.0MHz Reverse Recovery Time trr ⎯ 5.0 ns IF = IR = 10mA, Irr = 0.1 x IR, RL = 100Ω Reverse Breakdown Voltage (Note 2) Forward Voltage (Note 2) Notes: Symbol V(BR)R Unit Test Condition IR = 10µA 1. Device mounted on FR4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf. 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. 3. No purposefully added lead. DS30114 Rev. 10 - 2 1 of 3 www.diodes.com BAS40W/-04/-05/-06 © Diodes Incorporated PDF
Документация на BAS40W-05-7 

Ds30114_R10.vp

Дата модификации: 29.12.2004

Размер: 66.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N5711 (ST)