BC847A-7-F

General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846ALT3G (ONS) TO236 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846A (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846A (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCV71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC846A.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 20000 шт
 
P= BC846ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор общего назначения Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846S (NXP) SOT-323-6 SOT363 1 шт
 
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A (DC)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847A (DIOTEC)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ FZT651TA (DIODES) TO261 в ленте 1000 шт Биполярный транзистор - [SOT-223] Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
A+ FMMT493TA (DIODES) TO236 1 шт Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BC849C (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC847C-7-F (DIODES) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BC847BW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC846B (YJ)
BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ ZXTN2031FTA (DIODES) SOT-23-3 1 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 50 В; IК(макс): 5 А; Pрасс: 1....
A+ ZXT10N50DE6TA (DIODES) SOT236 1 шт Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin
A+ BC337-40 (DIOTEC) TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC847B-7-F (DIODES) SOT-23-3 200 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BC846BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ SBC846ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC546B (DIOTEC) TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC337-25 (DIOTEC)
BC337-25 (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ DTC143TM3T5G (ONS) SOT-723 в ленте 8000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BC850CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC847CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC847BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC847ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC846BLT3G (ONS) SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC547B (DC)
BC547B (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.