BC847B-13-F

General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 71

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847C-7-F (DIODES) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCW72LT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A-TP (MCC) TO236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847B (HOTTECH)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC847BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B (YJ)
BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...
P= LBC847BLT1G (LRC) 1 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847C (NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран:...
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847BLT3G (ONS) SOT-23-3 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCW72.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847B 1F (FOSAN)
 
P= BC847BHZGT116 (ROHM) 1000 шт
 
P= BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CW (NXP) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DIOTEC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC846A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор общего назначения Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B-7-F (DIODES) SOT-23-3 200 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= NSVBC847BLT3G (ONS) SOT-23-3 Биполярный транзистор общего назначения Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847BW-7-F (DIODES) SOT-323-3 1 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BT116 (ROHM) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847BWT1G (ONS) SC703 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC850BW.115 (NEX-NXP) SC703 1 шт
P= BC847A.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847CM.315 (NEX-NXP) SOT883 в ленте 10000 шт
 
P= BCX70K.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC850CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC850C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847BW.135 (NEX-NXP) SC703
 
P= BC847W (NXP) 1 шт
 
P= BC847CW-7-F (DIODES) SC703 Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CW-13-F (DIODES) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CWT1G (ONS) SOT-323-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC849CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847CW.135 (NEX-NXP) SC703 1 шт
A+ DTC143TM3T5G (ONS) SOT-723 в ленте 8000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BC849C (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ ZXTN2031FTA (DIODES) SOT-23-3 1 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 50 В; IК(макс): 5 А; Pрасс: 1....
A+ BC846BLT3G (ONS) SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC850CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC846B (YJ)
BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC337-25 (DIOTEC)
BC337-25 (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC547B (DC)
BC547B (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC846B (DIOTEC)
BC846B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-25 (DC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
A+ BC547C (DIOTEC)
BC547C (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT54A] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC846C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор -
A+ BC546B (DIOTEC) TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC337-40 (DIOTEC) TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC547B (DIOTEC)
BC547B (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC817-40 (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
BC846A-BC848C NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data  Ideally Suited for Automatic Insertion   Complementary PNP Types: BC856 – BC858   For switching and AF Amplifier Applications Case: SOT23 Case material: molded plastic, “Green” molding compound UL Flammability Classification Rating 94V-0  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)   Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 3)   Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  PPAP capable (Note 4) Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Terminals: Finish – Matte Tin Plated Leads, Solderable per MIL-STD-202, Method 208  Weight: 0.008 grams (Approximate) C SOT23 B E Top View Top View Pin-Out Device Symbol Ordering Information (Notes 4 & 5) Product Compliance Marking BC846A-7-F BC846AQ-7-F BC846B-7-F BC846BQ-7-F BC846B-13-F BC846BQ-13-F BC847A-7-F BC847AQ-7-F BC847A-13-F BC847B-7-F BC847BQ-7-F AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 AEC-Q101 Automotive K1Q K1Q K1R K1R K1R K1R K1Q K1Q K1Q K1R K1R Notes: Reel size (inches) 7 7 7 7 13 13 7 7 13 7 7 Quantity per reel 3,000 3,000 3,000 3,000 10,000 10,000 3,000 3,000 10,000 3,000 3,000 Product Compliance Marking BC847B-13-F BC847C-7-F BC847CQ-7-F BC847C-13-F BC848A-7-F BC848B-7-F BC848B-13-F BC848C-7-F BC848CQ-7-F AEC-Q101 AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 Automotive K1R K1M K1M K1M K1Q K1R K1R K1M K1M Reel size Quantity per (inches) reel 13 10,000 7 3,000 7 3,000 13 10,000 7 3,000 7 3,000 13 10,000 7 3,000 7 3,000 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. 2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen and Antimony free, "Green" and Lead-Free. 3. Halogen and Antimony free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. Automotive products are AEC-Q101 qualified and are PPAP capable. Automotive, AEC-Q101 and standard products are electrically and thermally the same, except where specified. For more information, please refer to http://www.diodes.com/quality/product_compliance_definitions/. 5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html. Marking Information Date Code Key Year Code Month Code 2010 X Jan 1 2011 Y Feb 2 BC846A – BC848C Document Number: DS11108 Rev. 26 - 2 Mar 3 2012 Z Apr 4 xxx = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking Y or Y = Year (ex: Y = 2011) M or M = Month (ex: 9 = September) YM xxx 2013 A May 5 Jun 6 1 of 7 www.diodes.com 2014 B Jul 7 2015 C 2016 D 2017 E Aug Sep Oct Nov Dec 8 9 O N D December 2013 © Diodes Incorporated PDF
Документация на BC847C-7-F 

BC846A-BC848C NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23

Дата модификации: 17.12.2013

Размер: 299.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.