BCP56-16

Not Recommended for New Design Please Use FZT493 SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR BCP56 ISSUE 3 – AUGUST 1995 ✪ FEATURES * Suitable for AF drivers and output stages * High collector current and Low VCE(sat) COMPLEMENTARY TYPE – BCP53 PARTMARKING DETAILS – BCP56 BCP56 – 10 C E C B BCP56 – 16 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL Collector-Base Voltage VCBO VAL...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO261
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BCP56-16.115 (NEX-NXP) TO261 в ленте 1000 шт
PA BCP56-16.135 (NEX-NXP) TO261 в ленте 4000 шт
P= BCP5616TC (DIODES) TO261 в ленте 4000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCP5616TA (DIODES) TO261 в ленте 1020 шт Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P- BCP56T3G (ONS) PGSOT2234 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT-223]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 1.5... Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
P- BCP56T1G (ONS) PGSOT2234 в ленте 1000 шт Биполярный транзистор - [SOT-223]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 1.5... Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
P- BCP56-16T1G (ONS) SOT-223 в ленте 1000 шт NPN Bipolar Transistor, hFE 100 to 250 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
P- BCP56-16-TP (MCC) в ленте 2500 шт
 
P- BCP56-16T3G (ONS) PGSOT2234 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT-223]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 1.5... Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
P- BCP56-16 (ST) SOT-223 в ленте 1000 шт LS:
P- BCP56TA (DIODES) TO261 в ленте 1000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BDW93C (ONS-FAIR) TO-220-3 200 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на BCP56-16 

Zetex - BCP5616 Silicon planar medium power transistor datasheet

Дата модификации: 10.11.2010

Размер: 41.7 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.