BC337-25

Формованные выводы
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P+ BC337-40 (DIOTEC) TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
P- BC337-25 (DC)
BC337-25 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC817-25 (DC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
A+ BC817-25 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (DC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ BC817-40 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (UTC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт

Файлы 2

показать свернуть
BC337 ... BC338 BC337 ... BC338 IC = 800 mA hFE = 160/250/400 Tjmax = 150°C General Purpose NPN Transistors Universal-NPN-Transistoren VCEO = 25...45 V Ptot = 625 mW Version 2017-02-09 (1) 18 9 16 C BE Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2 x 2.54 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) ±0.1 (2) CBE min 12.5 4.6±0.1 4.6 2 x 1.27 (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix “BK”) 4000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schüttgut (Raster 1.27, Suffix “BK”) 5000 Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Current gain groups Stromverstärkungsgruppen BC337-16 BC337-25 BC337-40 Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC338-16 BC338-25 BC338-40 BC327 ... BC328 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC337 BC338 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1A Base current – Basisstrom IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC337-16 

Дата модификации: 02.03.2017

Размер: 152 Кб

2 стр.

BC337 / BC338 BC337 / BC338 General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz NPN NPN Version 2006-05-30 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 CBE 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BC337 BC338 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1A Base current – Basisstrom IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2) VCE = 1 V, IC = 100 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE hFE hFE 100 160 250 160 250 400 250 400 630 VCE = 1 V, IC = 300 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE hFE hFE 60 100 170 130 200 320 – – – – – 0.7 V Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2) IC = 500 mA, IB = 50 mA 1 2 VCEsat Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC337-25 

bc337

Дата модификации: 03.04.2007

Размер: 105.7 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.