BC547C

Формованные выводы
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC547C (DC)
BC547C (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
A+ BC846C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор -
A+ BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт

Файлы 2

показать свернуть
BC546 ... BC549 BC546 ... BC549 IC = 100 mA hFE ~ 110/200/420 Tjmax = 150°C General Purpose NPN Transistors Universal-NPN-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 500 mW Version 2018-02-01 (1) 18 9 16 CBE Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE 2 x 2.54 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) ±0.1 (2) CBE min 12.5 4.6±0.1 4.6 2 x 1.27 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix “BK”) 4000 5000 Weight approx. (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schüttgut (Raster 1.27, Suffix “BK”) 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Current gain groups Stromverstärkungsgruppen BC546A BC547A BC548A BC549A BC546B BC547B BC548B BC549B Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC546C BC547C BC548C BC549C BC556 ... BC559 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC546 BC547 BC548/549 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 80 V 50 V 30 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage C open VEBO 5V Ptot 500 mW 3) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA - IEM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC546A 

Дата модификации: 01.02.2018

Размер: 144.4 Кб

2 стр.

BC546 ... BC549 BC546 ... BC549 General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz NPN NPN Version 2006-05-31 Power dissipation – Verlustleistung 18 9 16 CBE 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 500 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BC546 BC547 BC548/549 Collector-Emitter-voltage E-B short VCES 85 V 50 V 30 V Collector-Emitter-voltage B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage E open VCBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage C open VEB0 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 500 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA - IEM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Group A Group B Group C DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2) VCE = 5 V, IC = 10 µA hFE typ. 90 typ. 150 typ. 270 VCE = 5 V, IC = 2 mA hFE 110 ... 220 200 ... 450 420 ... 800 VCE = 5 V, IC = 100 mA hFE typ. 120 typ. 200 typ. 400 Small signal current gain Kleinsignal-Stromverstärkung hfe typ. 220 typ. 330 typ. 600 Input impedance – Eingangs-Impedanz hie 1.6 ... 4.5 kΩ 3.2 ...8.5 kΩ 6 ... 15 kΩ Output admittance – Ausgangs-Leitwert hoe 18 < 30 µS 30 < 60 µS 60 < 110 µS Reverser voltage transfer ratio Spannungsrückwirkung hre typ. 1.5*10-4 typ. 2*10-4 typ. 3*10-4 h-Parameters at/bei VCE = 5 V, IC = 2 mA, f = 1 kHz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC547C 

bc546

Дата модификации: 03.04.2007

Размер: 99.9 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.