BC817-16

Биполярный транзистор -
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC817-16.235 (NEX-NXP) TO236 282 шт
 
PA BC817-16.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= NSVBC817-16LT1G (ONS) SOT-23-3 500 шт Биполярный транзистор общего назначения Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
P= BCX19.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC817-16 (DC) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC817 (JSCJ) SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC817-16 (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC81716MTF (ONS-FAIR) TO236 в ленте 200 шт
 
P= BC817-16-TP (MCC) TO236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC817-16 (JSCJ)
 
P= BC818-16 (DIOTEC) SOT-23-3 1 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC817-16LT1 (ONS) TO236 в ленте 5000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
P= BC817-16LT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor
P= BC817-16LT3G (ONS) TO236 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ 2N5551 (DC)
2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC817-25 (DC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
A+ BC817-40 (DC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ BDW93C (ONS-FAIR) TO-220-3 200 шт
 
A+ 2N5551-YBU (ONS-FAIR) в коробках 10000 шт
 
A+ BC337-25 (DIOTEC)
BC337-25 (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC817-25 (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (UTC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ BCP56-16 (DIODES) TO261 1 шт
 
A+ BC817-40 (MCC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Файлы 2

показать свернуть
BC817 ... BC818 BC817 ... BC818 IC = 800 mA hFE ~ 160/250/400 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCES = 30...50 V Ptot = 310 mW Version 2021-11-16 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 3 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) SPICE Model & STEP File ) RoHS Pb EE WE 1 EL V SOT-23 TO-236 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten 0.01 g UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type & Marking Code = = = = = Gewicht ca. Case material HS Code 85412100 BC817-16/-Q BC817-25/-Q BC817-25-AQ BC817-40/-Q BC817-40-AQ Gegurtet auf Rolle 6A or 6CR 6B or 6CS 6CS 6C or 6CT 6CT BC818-16 BC818-25 BC818-40 Complementary PNP transistors Komplementäre PNP-Transistoren = 6E or 6CR = 6F or 6CS = 6G or 6CT BC807 BC808 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) BC817 BC818 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Ptot 310 mW 2) IC 800 mA ICM 1A - IEM 1A Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom 1 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC817-16 

Дата модификации: 16.11.2021

Размер: 551.4 Кб

2 стр.

BC817-16 BC817-25 BC817-40 SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR (NPN) FEATURES * For general AF applications * High collector current * High current gain * Low collector-emitter saturation voltage SOT-23 COLLECTOR 3 MECHANICAL DATA * * * * * BASE Case: Molded plastic Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed Mounting position: Any Weight: 0.008 gram 0.055(1.40) 0.047(1.20) 1 2 EMITTER 0.006(0.15) 0.003(0.08) 0.043(1.10) 0.035(0.90) 0.020(0.50) 0.012(0.30) 0.004(0.10) 0.000(0.00) 0.100(2.55) 0.089(2.25) 0.020(0.50) 0.012(0.30) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 1 0.019(2.00) 0.071(1.80) O Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. 0.118(3.00) 0.110(2.80) 3 2 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted ) VALUE UNITS Collector-base voltage CHARACTERISTICS SYMBOL VCBO 50 V Collector-emitter voltage VCEO 45 V Emitter-base voltage V VEBO 5 Collector current-continuous IC 0.5 A Collector dissipation PC 0.3 W TJ,Tstg -55 -150 Junction and storage temperature o C o ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted ) CHARACTERISTICS SYMBOL BC817-16 BC817-25 BC817-40 BC817-16 BC817-25 BC817-40 MIN. MAX. UNITS Collector-base breakdown voltage (IC= 10mA, IE=0) VCBO 50 - V Collector-emitter breakdown voltage (IC= 10mA, IB=0) VCEO 45 - V Emitter-base breakdown voltage (IE= 1mA, IC=0) VEBO 5 - V Collector cut-off current (VCB= 45V, IE=0) ICBO - 0.1 mA Emitter cut-off current (VEB= 4V, IC=0) IEBO DC current gain (VCE= 1V, IC= 100mA) hFE(1) 100 160 0.1 250 250 400 mA 600 - Collector-emitter saturation voltage (IC= 500mA, IB= 50mA) VCE(sat) - 0.7 V Base-emitter saturation voltage (IC= 500mA, IB= 50mA) VBE(sat) - 1.2 V Base-emitter voltage (VCE= 1V, IC= 500mA) VBE(ON) - Collector capactiance (VCB=10V, f = 1MHz) Cob Transition frequency (VCE= 5V, IC= 10mA, f= 100MHZ) MARKING: BC817-16---6A; fT BC817-25---6B; 1.2 10 100 V pF - MHZ BC817-40---6C 2007-3 PDF
Документация на BC817-16 

BC807-16LT1(1).pdf

Дата модификации: 15.03.2007

Размер: 349.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.