BC818-40

Биполярный транзистор -
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
F~ BC817-40LT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor

Файлы 2

показать свернуть
BC817 ... BC818 BC817 ... BC818 IC = 800 mA hFE ~ 160/250/400 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCES = 30...50 V Ptot = 310 mW Version 2021-11-16 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 3 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) SPICE Model & STEP File ) RoHS Pb EE WE 1 EL V SOT-23 TO-236 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten 0.01 g UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type & Marking Code = = = = = Gewicht ca. Case material HS Code 85412100 BC817-16/-Q BC817-25/-Q BC817-25-AQ BC817-40/-Q BC817-40-AQ Gegurtet auf Rolle 6A or 6CR 6B or 6CS 6CS 6C or 6CT 6CT BC818-16 BC818-25 BC818-40 Complementary PNP transistors Komplementäre PNP-Transistoren = 6E or 6CR = 6F or 6CS = 6G or 6CT BC807 BC808 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) BC817 BC818 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Ptot 310 mW 2) IC 800 mA ICM 1A - IEM 1A Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom 1 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC817-16 

Дата модификации: 16.11.2021

Размер: 551.4 Кб

2 стр.

BC817/BC818 tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver stages and low power output stages 3 • Complement to BC807/ BC808 2 1 Absolute Maximum Ratings* Symbol VCBO VCEO 1. Base 2. Emitter 3. Collector Ta = 25°C unless otherwise noted Parameter SOT-23 Value Units : BC817 : BC818 50 30 V V : BC817 : BC818 45 25 V V V Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage 5 IC Collector Current (DC) 800 mA PC Collector Power Dissipation 310 mW TJ Junction Temperature 150 °C TSTG Storage Temperature -65 ~ 150 °C * These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Electrical Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted Symbol BVCEO Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units Collector-Emitter Breakdown Voltage : BC817 : BC818 IC=10mA, IB=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage : BC817 : BC818 IC=0.1mA, VBE=0 BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE=0.1mA, IC=0 ICES Collector Cut-off Current VCE=25V, VBE=0 100 nA IEBO Emitter Cut-off Current VEB=4V, IC=0 100 nA hFE1 hFE2 DC Current Gain VCE=1V, IC=100mA VCE=1V, IC=300mA VCE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC=500mA, IB=50mA VBE (on) Base-Emitter On Voltage VCE=1V, IC=300mA fT Current Gain Bandwidth Product VCE=5V, IC=10mA f=50MHz Cob Output Capacitance VCB=10V, f=1MHz BVCES 45 25 V V 50 30 V V 5 V 100 60 630 0.7 1.2 100 V V MHz 12 pF * Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2% ©2006 Fairchild Semiconductor Corporation BC817/BC818 Rev. B 1 www.fairchildsemi.com BC817/BC818 NPN Epitaxial Silicon Transistor November 2006 PDF
Документация на BC818-40 

BC817-BC818_RevB.fm

Дата модификации: 13.11.2006

Размер: 160.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.