BC846B

Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 43

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC846B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
PA BC846B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P+ BC846C (DIOTEC)
BC846C (MCC)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор -
P= BCW72LT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2...
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor
P= BC846A.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC846A (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCW72.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC846A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846B-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 3000 шт
P= BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...
P= BC847BT116 (ROHM) SOT-23-3
 
P= BC847CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor
P= BC847CMTF (ONS-FAIR) TO236 1 шт
 
P= BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BCW72.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor
P= BC847BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor
P= BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847B-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846B (DC)
BC846B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
P= BC847BLT1 (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2...
P= BC846ALT3G (ONS) TO236 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2...
P= BC847B (DIODES) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор -
P= BC847BLT3G (ONS) SOT-23-3 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2...
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846BLT3G (ONS) SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2...
P= BC847A (DIOTEC)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847CLT3G (ONS) TO236 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2...
P= BC847A (DC)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847A-TP (MCC) TO236
 
P= BC846A-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC847A-7-F (DIODES) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B-13-F (DIODES) TO236 Биполярный транзистор -
P= BC847B-7-F (DIODES) SOT-23-3 200 шт
P= BC846A-7-F (DIODES) TO236 1 шт

Файлы 1

показать свернуть
BC846 ... BC850 BC846 ... BC850 Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage NPN NPN Version 2008-04-15 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type Code 250 mW 2 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1=B 2=E 3=C SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BC846 BC847 BC850 BC848 BC849 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEB0 6V 5V 1 Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW ) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V, IC = 10 µA Group A Group B Group C hFE hFE hFE – – – 90 150 270 – – – VCE = 5 V, IC = 2 mA Group A Group B Group C hFE hFE hFE 110 200 420 180 290 520 220 450 800 VCEsat VCEsat – – 90 mV 200 mV 250 mV 600 mV VBEsat VBEsat – – 700 mV 900 mV – – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC846B 

Дата модификации: 03.06.2010

Размер: 98.4 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.