BC847C

Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 39

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
PA BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C (NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран:...
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B (YJ)
BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847CT (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...
P= BC847BT116 (ROHM) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC850BW.115 (NEX-NXP) SC703 1 шт
P= BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847BW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BCW72.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847CW (NXP) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847BW.135 (NEX-NXP) SC703
 
P= BC847.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC850C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BCX70K.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC847CW.135 (NEX-NXP) SC703 1 шт
P= BC847W (NXP) 1 шт
 
P= BC850CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC849CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P- BC847C (NEX-NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ BC850C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC847CT116 (ROHM) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ BC846C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор -
A+ BC547C (DIOTEC)
BC547C (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT54A] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC849C (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC107C (CDIL) Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18

Файлы 1

показать свернуть
BC846A ... BC850C BC846A ... BC850C IC = 100 mA hFE = 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 250 mW Version 2021-11-08 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 3 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) EL V SOT-23 TO-236 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS-Code 85412100 Type = Code BC846A/-Q/-AQ = 1A BC846B/-Q/-AQ = 1B BC846C/-AQ = 1C Gegurtet auf Rolle Complementary PNP transistors Komplementäre PNP-Transistoren BC847A/-Q/-AQ = 1E BC847B/-Q/-AQ = 1F BC847C/-Q/-AQ = 1G BC848A/-AQ = 1E BC848B/-AQ = 1F BC848C/-AQ = 1G BC850A/-AQ = 1E BC850B/-AQ = 1F BC850C/-AQ = 1G BC849A/-AQ = 1E BC849B/-AQ = 1F BC849C/-AQ = 1G BC856 ... BC860 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC846 BC847 BC850 BC848 BC849 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO Power dissipation – Verlustleistung 6V 5V 3 Ptot 250 mW ) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BC846A 

Дата модификации: 11.01.2022

Размер: 583 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.