BZW06-102

Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 102 В; Uогр(диапазон): 114...126 В; Uимп(макс): 165 В; Iраб: 5 мкА; Iимп(макс): 2.4 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO15
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- 1.5KE120A/B (YAG) DO-204AC DO-15 1.5KE, DO-201, 102V, 165V, BOX
A- P6KE120A (YJ)
P6KE120A (ONS-FAIR)
DO15 в ленте 3000 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- 1.5KE120A (ST) DO201 в ленте 600 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201
A- P4SMA120A (YJ) DO214AC 5000 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P6KE120A (TSC)
P6KE120A (ONS-FAIR)
DO15 1 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- P6KE120A/B (YAG) DO-204AC DO-15 P6KE, DO-204AC, 102V, 165V, BOX
A- P6KE120A (DIOTEC)
P6KE120A (ONS-FAIR)
DO15 125 шт Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 102 В; Uогр(диапазон): 114...126 В; ... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- 1.5KE120A (DIOTEC) DO201 Защитный диод - [D5.4x7.5]; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 102 В; Uогр(диапазон): 114...126... Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
A- TGL34-120A (DIOTEC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AA
A- P6SMB120A_R1_00001 (PJ) Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
BZW06-5V8 ... BZW06-376B BZW06-5V8 ... BZW06-376B PPPM = 600W PM(AV) = 5.0 W Tjmax = 175°C Transient Voltage Suppressor Diodes Spannungs-Begrenzer-Dioden VWM = 5.0 ... 376 V VBR = 6.8 ... 440 V Version 2021-06-04 Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) RoHS Pb EE WE Features Uni- and Bidirectional versions Peak pulse power of 600 W (10/1000 µs waveform) Very fast response time Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Schutz gegen Überspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V ~DO-15 ~DO-204AC Besonderheiten Uni- und Bidirektionale Versionen 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs Strom-Impuls) Sehr schnelle Ansprechzeit Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) SPICE Model & STEP File 1) unidir. Bidir. (suffix “B”) Marking Type/Typ Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A HS Code 85411000 For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 75°C Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 60 Hz (8.3 ms) Half sine-wave Sinus-Halbwelle Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur PPPM 600 W 3) PM(AV) 5 W 4) IFSM 100 A 5) Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Characteristics Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung Kennwerte VF < 3.0 V 5) < 6.5 V 5) Typ. thermal resistance junction to ambient − Typ. Wärmewiderst. Sperrschicht – Umgebung RthA 45 K/W 4) Typ. thermal resistance junction to lead − Typ. Wärmewiderst. Sperrschicht − Anschlussdraht RthL 15 K/W 1 2 3 4 5 IF = 25 A Tj = 25°C VBR ≤ 200 V VBR > 200 V Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на BZW06-102B 

Дата модификации: 02.07.2021

Размер: 404.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.