DI150N03PQ

Diotec Semiconductor
DI150N03PQ DI150N03PQ ID25°C = 150 A RDS(on) ~ 1.4 mΩ Tjmax = 150°C N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET VDSS = 30 V PD = 80 W EAS = 150 mJ Version 2021-11-05 SS S Typical Applications DC/DC Converters Power Supplies DC Drives Power Tools Synchronous Rectifiers Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) G Typische Anwendungen G...
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P= CJAC150N03A (JSCJ)
 
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DI150N03PQ DI150N03PQ ID25°C = 150 A RDS(on) ~ 1.4 mΩ Tjmax = 150°C N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET VDSS = 30 V PD = 80 W EAS = 150 mJ Version 2021-11-05 SS S Typical Applications DC/DC Converters Power Supplies DC Drives Power Tools Synchronous Rectifiers Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) G Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Synchrongleichrichter Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features Low profile, space saving package Low on state resistance Fast switching times Low gate charge Avalanche rated Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) D SPICE Model & STEP File 1) RoHS EE WE Pb EL V QFN5x6 ~TDSON-8 / DFN5060 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 5000 / 13“ Weight approx. Marking Code 503N015 Besonderheiten Flache, platzsparende Bauform Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Gegurtet auf Rolle 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS Code 85412100 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) DI150N03PQ Drain-Source voltage Drain-Source-Spannung VGS = 0 V (short) Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd 3 VDSS 30 V VGSS ± 20 V Power dissipation – Verlustleistung TC = 25°C ) Ptot 80 W Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 25°C 3) ID 150 A 4) 110 A 5) Drain current continous – Drainstr. dauernd TC = 100°C 3) ID 70 A IDM 400 A Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom 6 ) 3 Source current cont. – Sourcestr. dauernd TC = 25°C ) IS 78 A Peak Source current – Source-Spitzenstrom VGS = 0 V, tp = 10 ms ISM 120 A VDD = 15 V, VG = 10 V L = 0.5 mH, RG = 25 Ω EAS 150 mJ Tj TS -55…+150°C -55…+150°C Single pulse avalanche energy Einzelpuls Avalanche-Energie (Fig. 1) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 6 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Silicon chip limit – Grenzwert des Silizium-Chips Bondwire limit – Grenzwert der Bonddrähte Pulse width limited by Tjmax – Pulsbreite begrenzt durch Tjmax © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на DI150N03PQ 

Дата модификации: 11.01.2022

Размер: 546.4 Кб

4 стр.

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