P4SMAJ58

Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uогр(диапазон): 64.4...78.6 В; Uимп(макс): 103 В; Iраб: 5 мкА; Iимп(макс): 3.9 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= SMAJ58A (BOURNS)
SMAJ58A/TR7 (YAG)
DO214AC 1 шт DIODE, TVS, 58V, 400W, UNI, 5%, SMA TVS DIODE 58VWM SMD General Purpose
P= P4SMAJ58A_R1_00001 (PJ) Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A (ST)
SMAJ58A/TR7 (YAG)
DO214AC 1 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A (YJ)
SMAJ58A/TR7 (YAG)
DO214AC 5000 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P= SMAJ58A-TR (ST) DO214AC в ленте 5000 шт
 
P- P4SMAJ58A (DIOTEC) DO214AC 1 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uогр(диапазон): 64.4...71.5... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P- SMAJ58A+ (MULTCMP) Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
P- SMAJ60AHR3G (TSC)
P- SMAJ58AHR3G (TSC)
P- P4SMAJ58A-AU_R1_000A1 (PJ)
 
P- SMAJ58A (LTL)
SMAJ58A/TR7 (YAG)
DO214AC в ленте 5000 шт Защитный диод - [DO-214AC, SMA]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uимп(макс): 93.6 В; Iи... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
P- SMAJ58A-13-F (DIODES) DO214AC 1 шт
P- SMAJ58A (TSC)
SMAJ58A/TR7 (YAG)
DO214AC 1 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс: 3.3 Вт; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uогр(ном): 6...

Файлы 1

показать свернуть
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA PPPM = 400 W PM(AV) = 1.0 W Tjmax = 150°C SMD Transient Voltage Suppressor Diodes SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden VWM = 5.0 ... 170 V VBR = 6.8 ... 200 V Version 2021-08-19 SPICE Model & STEP File 1) Features Uni- and Bidirectional versions Peak pulse power of 400 W (10/1000 µs waveform) Very fast response time Further available: P4SMA220...550CA having VBR = 220 ... 550 V Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) Marking VWM only. Cathode mark only at unidirectional types Besonderheiten Uni- und Bidirektionale Versionen 400 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs Strom-Impuls) Sehr schnelle Ansprechzeit Auch erhältlich: P4SMA220...550CA mit VBR = 220 ... 550V Konform zu RoHS (Ausn. 7a) Pb REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled bidir. (CA) Typische Anwendungen Schutz gegen Überspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) EE WE unidir. (A) Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) EL V SMA ~ DO-214AC 7500 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Nur VWM. Kathoden-Markierung nur bei unidirektionalen Typen HS Code 85411000 For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 400 W 3) Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 1W Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 60 Hz (8.3 ms) Half sine-wave Sinus-Halbwelle Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur IFSM 40 A 4) Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Kennwerte Max. instantaneous fwd. voltage – Augenblickswert Durchlass-Spg. IF = 25 A VBR ≤ 200 V Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss 1 2 3 4 5 VF < 3.5 V 4) RthA RthT 70 K/W 5) 30 K/W Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden Mounted on PCB with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PDF
Документация на P4SMAJ100A 

Дата модификации: 11.01.2022

Размер: 601.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.