1EDF5673KXUMA1

Infineon
GaN EiceDRIVER™ product family Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs Features • • • • • • • • Dedicated gate driver ICs for high-voltage GaN power switches (CoolGaN™, GIT technology based products) – low driving impedance (on-resistance 0.85 Ω source, 0.35 Ω sink) – resistor programmable gate current (typ. 10 mA) in steady...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид 1EDF5673KXUMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTFLGA13
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
A- 1EDI60N12AFXUMA1 (INFIN)
 
PGDSO8 2500 шт
 
 — управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
A- 1EDS5663HXUMA1 (INFIN)
 
SO-16 SOIC16 100 шт —
A- 1EDC40I12AHXUMA1 (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
 Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDI20I12MFXUMA1 (INFIN)
 
PGDSO8 2500 шт
 
 — управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц

Файлы 1

показать свернуть
GaN EiceDRIVER™ product family Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs Features • • • • • • • • Dedicated gate driver ICs for high-voltage GaN power switches (CoolGaN™, GIT technology based products) – low driving impedance (on-resistance 0.85 Ω source, 0.35 Ω sink) – resistor programmable gate current (typ. 10 mA) in steady “on” state – programmable negative gate voltage to completely avoid spurious turn-on Single output supply voltage (typ. 8 V, floating) Switching behavior independent of duty-cycle (2 "off" voltage levels) Differential concept to ensure negative gate drive voltage under any condition Fast input-to-output propagation (37 ns) with excellent stability (+7/-6 ns) Galvanic input-to-output isolation based on coreless transformer (CT) technology Common mode transient immunity (CMTI) > 200 V/ns 3 package versions – 1EDF5673K: 13-pin LGA (5 x 5 mm, PG-TFLGA-13-1) for functional isolation (1.5 kV) – 1EDF5673F: 16-pin P-DSO (150 mil, PG-DSO-16-11) for functional isolation (1.5 kV) – 1EDS5663H: 16-pin P-DSO (300 mil, PG-DSO-16-30) for safe isolation (6 kV) • Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Description CoolGaN™ and similar GaN switches require a continuous gate current of a few mA in their "on" state. Besides, due to low threshold voltage and extremely fast switching transients, a negative "off" voltage level may be needed. The widely used RC-coupled gate driver fulfils these requirements, however it suffers from a duty-cycle dependence of switching dynamics and the lack of negative gate drive in specific situations. Infineon's GaN EiceDRIVER™ solves these issues with very low effort. The two output stages shown below enable a zero “off" level to eliminate any duty-cycle dependence. In addition, the differential topology is able to provide negative gate drive without the need for a negative supply voltage. However, it requires a floating supply voltage not compatible with bootstrapping. Controller VDD > 3.5V RVDDI VDDI VDD GaN EiceDRIVER™ VDDS UVLOoutS UVLOin CT VDD SLDO SLDO Ishunt Rtr RX TX S1 Control Logic PWM CVDDI Control Logic GNDI CVDDO CC S2 Input-to-output isolation PWM GNDS VDDG UVLOoutG VDDO RSS OUTS CoolGaN™ D IGx60Rxx GPIOx DISABLE TX TNEG Rt1 GND Final datasheet www.infineon.com delay t1 RX S3 Control Logic OUTG S4 G SS GNDG GNDI Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document S Rev. 2.10 2019-02-11 PDF
Документация на 1EDS5663HXUMA1 

GaN EiceDRIVER™ product family Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for 600V enhancement-mode GaN HEMTs

Дата модификации: 18.02.2019

Размер: 1.27 Мб

37 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    27 сентября 2019
    статья

    Применение нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов в выпрямительных устройствах

    Александр Русу (г. Одесса) Использование HEMT–транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB–PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт.... ...читать

    16 августа 2019
    статья

    Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

    HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

    24 июля 2019
    статья

    Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

    Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых... ...читать

    10 июня 2019
    новость

    1EDх56х3 – новые драйверы управления инновационными GaN-транзисторами

    Компания Infineon представила новые одноканальные изолированные драйверы 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663H для управления высоковольтными GaN–транзисторами. Изделия из семейства GaN EiceDRIVER от Infineon являются альтернативой... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ISO5500DW (TI)