1EDF5673KXUMA1
GaN EiceDRIVER™ product family
Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for
high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
Dedicated gate driver ICs for high-voltage GaN power switches (CoolGaN™, GIT technology based products)
– low driving impedance (on-resistance 0.85 Ω source, 0.35 Ω sink)
– resistor programmable gate current (typ. 10 mA) in steady...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Драйверы FET-IGBT
- Корпус: PGTFLGA13
- Норма упаковки: 20 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PGTFLGA13 | |
---|---|---|
Кол-во нижних каналов | ||
Кол-во верхних каналов | ||
Максимальное напряжение смещения | ||
Максимальный выходной ток нарастания | ||
Максимальный выходной ток спада | ||
Напряжение изоляции | ||
Рабочая температура | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 8
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Nнижн | Nверхн | Uoffset | Iout+ | Iout- | Uизол | Опции | T раб | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A- | 1EDC40I12AHXUMA1 (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 1000 шт | Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC | ||||||||||
A- | 1EDI30I12MFXUMA1 (INFIN) | PGDSO8 | в ленте 2500 шт | — | управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц | |||||||||
A- | 1EDS5663HXUMA1 (INFIN) | SO-16 SOIC16 | 100 шт |
| — | |||||||||
A- | STGAP1AS (ST) | SO-24 SOIC24 | SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics | |||||||||||
A- | STGAP1ASTR (ST) | SO-24 SOIC24 | 6 шт | SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics | ||||||||||
A- | STGAP2SCM (ST) | SO-8 SOIC8 |
| — | ||||||||||
A- | STGAP2SCMTR (ST) | SO-8 SOIC8 | 4 шт |
| — | |||||||||
A- | STGAP2SMTR (ST) | SO-8 SOIC8 | 4 шт |
| — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 1EDS5663HXUMA1
GaN EiceDRIVER™ product family Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for 600V enhancement-mode GaN HEMTs
Дата модификации: 18.02.2019
Размер: 1.27 Мб
37 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.