1EDI20I12AFXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Compact Separate output variant for IGBT Single Channel IGBT Gate Driver IC 1EDI05I12AF 1EDI20I12AF 1EDI40I12AF 1EDI60I12AF Data Sheet Rev. 2.0, 2014-11-10 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
  Примечание: управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
A- 1EDI40I12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDI30I12MFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 в ленте 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDC40I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- STGAP1AS (ST) SO-24 SOIC24
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP1ASTR (ST) SO-24 SOIC24 6 шт
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP2SCM (ST) SO-8 SOIC8
A- STGAP2SCMTR (ST) SO-8 SOIC8 4 шт
A- STGAP2SMTR (ST) SO-8 SOIC8 4 шт
A- 1EDI60N12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
A- 1EDI60I12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDI20I12MFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDC20H12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDI30J12CPXUMA1 (INFIN) SO-20 SOIC20 1000 шт
 
A- 1EDC60I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC60I12AH (INFIN) 1 шт
 
A- 1EDC60H12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC60H12AH (INFIN)
 
A- 1EDC40I12AH (INFIN) 1 шт
 
A- 1EDC20I12MHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC20I12MH (INFIN)
 
A- 1EDC20I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC20I12AH (INFIN)
 
A- 1EDC20H12AH (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 4

показать свернуть
11 мая 2020
новость

Драйверы EiceDRIVER с усиленной изоляцией и динамическим управлением скоростью нарастания

Компания Infineon представила новые драйверы линейки EiceDRIVER с усиленной изоляцией, поддержкой IGBT до 1200 В и динамическим управлением скоростью нарастания (slew rate control, SRC): 1EDS20I12SV, 1EDU20I12SV и 1EDI20I12SV. Драйверы 1EDx20I12SV... ...читать

06 апреля 2020
статья

Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное... ...читать

05 июля 2018
статья

Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET–транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

14 марта 2018
новость

1EDI - изолированные одноканальные драйверы IGBT от Infineon

Изолированные одноканальные драйверы управления затвором силовых транзисторов 1EDIx0I12MF от Infineon рассчитаны на напряжение 1200 В и предназначены для высоконадёжных силовых преобразователей. Изоляция драйверов построена на базе технологии... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.