1EDI20I12MFXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Compact Output with Clamp variant for IGBT Single Channel IGBT Gate Driver IC 1EDI10I12MF 1EDI20I12MF 1EDI30I12MF Data Sheet Rev. 2.0, 2014-11-10 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
  Примечание: управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
A- 1EDC40I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDI30I12MFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 в ленте 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- STGAP1AS (ST) SO-24 SOIC24
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP1ASTR (ST) SO-24 SOIC24 6 шт
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP1S (ST) SO-24 SOIC24 32 шт
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP2SCM (ST) SO-8 SOIC8
A- STGAP2SCMTR (ST) SO-8 SOIC8 4 шт
A- STGAP2SMTR (ST) SO-8 SOIC8 4 шт

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 5

показать свернуть
17 августа 2020
статья

Каждой топологии – своя технология. Часть 2

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид–кремниевые (SiC) и нитрид–галлиевые (GaN)... ...читать

20 июля 2020
статья

Каждой топологии – своя технология. Часть 1

Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS,... ...читать

07 июля 2020
статья

Как управлять SiС-транзистором

Алексей Гребенников (г. Москва) Преимущества карбид–кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной... ...читать

29 апреля 2020
статья

Обзор линейки драйверов затвора компании Infineon

Александр Русу (г. Одесса) В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения... ...читать

06 апреля 2020
статья

Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.