1EDI20N12AFXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Compact 1EDI20N12AF Single Channel MOSFET and GaN HEMT Gate Driver IC 1EDI20N12AF Data Sheet Rev. 2.0, 2015-06-01 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
  Примечание: управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= 1EDI20N12AF (INFIN) PGDSO8 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 1EDI20N12AF 

1EDI20N12AF EiceDRIVER™ Compact - Single Channel MOSFET and GaN HEMT Gate Driver IC Datasheet 1EDI20N12AF

Дата модификации: 30.06.2015

Размер: 1.93 Мб

22 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    17 августа 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 2

    Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид–кремниевые (SiC) и нитрид–галлиевые (GaN)... ...читать

    20 июля 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 1

    Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS,... ...читать

    06 апреля 2020
    статья

    Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

    Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное... ...читать

    27 сентября 2019
    статья

    Применение нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов в выпрямительных устройствах

    Александр Русу (г. Одесса) Использование HEMT–транзисторов производства Infineon позволит значительно улучшить технические характеристики выпрямительных устройств стандарта USB–PD, поддерживающего оборудование мощностью до 100 Вт.... ...читать

    16 августа 2019
    статья

    Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

    HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.