1EDI20N12AFXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Compact 1EDI20N12AF Single Channel MOSFET and GaN HEMT Gate Driver IC 1EDI20N12AF Data Sheet Rev. 2.0, 2015-06-01 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 PG-DSO-8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
  Примечание: управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
A- 1EDI30I12MFXUMA1 (INFIN) SO-8 PG-DSO-8 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDC40I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 PG-DSO-8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDI20I12MFXUMA1 (INFIN) SO-8 PG-DSO-8 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 1EDI20N12AF 

1EDI20N12AF EiceDRIVER™ Compact - Single Channel MOSFET and GaN HEMT Gate Driver IC Datasheet 1EDI20N12AF

Дата модификации: 30.06.2015

Размер: 1.93 Мб

22 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    16 августа
    статья

    Интегральные драйверы для нитрид-галлиевых гетероструктурных транзисторов CoolGaN™

    HEMT–транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства... ...читать

    24 июля 2019
    статья

    Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

    Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых... ...читать

    05 июля 2018
    статья

    Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

    Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET–транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

    14 марта 2018
    новость

    1EDI - изолированные одноканальные драйверы IGBT от Infineon

    Изолированные одноканальные драйверы управления затвором силовых транзисторов 1EDIx0I12MF от Infineon рассчитаны на напряжение 1200 В и предназначены для высоконадёжных силовых преобразователей. Изоляция драйверов построена на базе технологии... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.