1EDI30J12CPXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Enhanced 1EDI30J12CP Single JFET Driver IC Preliminary Datasheet Rev. 1.3, November 2014 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-20 SOIC20
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
A- 1EDI40I12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDI30I12MFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 в ленте 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDC40I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- STGAP1AS (ST) SO-24 SOIC24
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP1ASTR (ST) SO-24 SOIC24 6 шт
 
SPI programmable, adjustable deadtime, separate sink/source output, diagnostics
A- STGAP2SCM (ST) SO-8 SOIC8
A- STGAP2SCMTR (ST) SO-8 SOIC8 4 шт
A- STGAP2SMTR (ST) SO-8 SOIC8 4 шт
A- 1EDI60N12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
A- 1EDI60I12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDI20I12MFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, встроена функция Active Miller clamp, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDI20I12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц
A- 1EDC60I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC60I12AH (INFIN) 1 шт
 
A- 1EDC60H12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC60H12AH (INFIN)
 
A- 1EDC40I12AH (INFIN) 1 шт
 
A- 1EDC20I12MHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC20I12MH (INFIN)
 
A- 1EDC20I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC20I12AH (INFIN)
 
A- 1EDC20H12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC20H12AH (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 3

показать свернуть
06 апреля 2020
статья

Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное... ...читать

05 июля 2018
статья

Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET–транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

16 июня 2017
статья

CoolSiC™: новая революция в области MOSFET

Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.