1EDI60N12AFXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Compact Separate output variant for MOSFET Single Channel MOSFET Gate Driver IC 1EDI60N12AF Data Sheet Rev. 2.0, 2015-06-01 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Опции Half Bridge Based MOSFET Driver, 10A, PDSO8
Рабочая температура
  Примечание: управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= 1EDI60N12AF (INFIN) PGDSO8 1 шт Half Bridge Based MOSFET Driver, 10A, PDSO8 Half Bridge Based MOSFET Driver, 10A, PDSO8
A- 1EDC60H12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC60I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 1EDI60N12AFXUMA1 

1EDI60N12AF EiceDRIVER™ Compact - Separate output variant for MOSFET - Single Channel MOSFET Gate Driver IC Datasheet 1EDI60N12AF

Дата модификации: 30.06.2015

Размер: 1.93 Мб

22 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    07 декабря 2020
    статья

    Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

    Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное... ...читать

    16 ноября 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 2

    Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид–кремниевые (SiC) и нитрид–галлиевые (GaN)... ...читать

    10 ноября 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 1

    Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS,... ...читать

    23 октября 2018
    статья

    Электропривод для робототехники: решения Infineon

    Для современной робототехники – основы четвертой индустриальной революции – компания Infineon производит весь спектр компонентов: от дискретных силовых диодов и транзисторов, а также сборок и микросхем управления электроприводом до датчиков... ...читать

    05 июля 2018
    статья

    Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

    Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET–транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.