1EDI60N12AFXUMA1

1EDI EiceDRIVER™ Compact Separate output variant for MOSFET Single Channel MOSFET Gate Driver IC 1EDI60N12AF Data Sheet Rev. 2.0, 2015-06-01 Industrial Power Control
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Рабочая температура
  Примечание: управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= 1EDI60N12AF (INFIN) PGDSO8 1 шт
 
A- 1EDC60H12AH (INFIN)
 
A- 1EDC60H12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDC60I12AH (INFIN) 1 шт
 
A- 1EDC60I12AHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 1000 шт
 
Изолированный драйвер управления MOSFET, IGBT, SiC
A- 1EDI60I12AFXUMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт
 
управление IGBT, раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 300 нс, Fsw до 1 МГц

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 1EDI60N12AFXUMA1 

1EDI60N12AF EiceDRIVER™ Compact - Separate output variant for MOSFET - Single Channel MOSFET Gate Driver IC Datasheet 1EDI60N12AF

Дата модификации: 30.06.2015

Размер: 1.93 Мб

22 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    06 апреля 2020
    статья

    Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

    Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное... ...читать

    05 июля 2018
    статья

    Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

    Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET–транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

    14 марта 2018
    новость

    1EDI - изолированные одноканальные драйверы IGBT от Infineon

    Изолированные одноканальные драйверы управления затвором силовых транзисторов 1EDIx0I12MF от Infineon рассчитаны на напряжение 1200 В и предназначены для высоконадёжных силовых преобразователей. Изоляция драйверов построена на базе технологии... ...читать

    01 сентября 2017
    статья

    600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах

    Продолжая тему новой линейки MOSFET производства Infineon CoolMOS™ P7, статья рассказывает о практических преимуществах применения этих изделий в 500–ваттном импульсном источнике с ККМ, 600–ваттном полумостовом резонансном... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.