1EDN8511BXUSA1
EiceDRIVER™
1EDN751x/1EDN851x
Features
Fast, Precise, Strong and Compatible
•
5 ns slew rate to support high speed Superjunction MOSFET (like CoolMos™ C7) or GaN devices
•
19 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
•
8 A sink and 4 A source driver capability enables fast switching for very high efficiency applications and
powers low ohmic MOSFET
•
Industry stand...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Драйверы FET-IGBT
- Серия: 1EDN8511B
- Корпус: SOT236
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT236 | |
---|---|---|
Кол-во нижних каналов | ||
Кол-во верхних каналов | ||
Максимальный выходной ток нарастания | ||
Максимальный выходной ток спада | ||
Рабочая температура |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Nнижн | Nверхн | Uoffset | Iout+ | Iout- | Uизол | Опции | T раб | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | 1EDN8511B (INFIN) | — | 1 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.