1EDN8511BXUSA1

Infineon
EiceDRIVER™ 1EDN751x/1EDN851x Features Fast, Precise, Strong and Compatible • 5 ns slew rate to support high speed Superjunction MOSFET (like CoolMos™ C7) or GaN devices • 19 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching • 8 A sink and 4 A source driver capability enables fast switching for very high efficiency applications and powers low ohmic MOSFET • Industry stand...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PG-SOT23-6
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
EiceDRIVER™ 1EDN751x/1EDN851x Features Fast, Precise, Strong and Compatible • 5 ns slew rate to support high speed Superjunction MOSFET (like CoolMos™ C7) or GaN devices • 19 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching • 8 A sink and 4 A source driver capability enables fast switching for very high efficiency applications and powers low ohmic MOSFET • Industry standard packages and pinout ease system-design upgrades The New Reference in Ruggedness • 4.2 V and 8 V UVLO (Under Voltage Lock Out) options ensure instant MOSFET protection under abnormal conditions • -10 V input voltage capability delivers robustness and crucial safety margin when device is driven from pulsetransformers • 5 A reverse current robustness eliminates the need for output protection circuitry Applications • Server SMPS (Switch Mode Power Supplies) • TeleCom SMPS • DC-to-DC Converter • Bricks • Power Tools • Industrial SMPS • Motor Control Example Topologies • Synchronous Rectification • Power Factor Correction PFC (DCM, CCM) • LLC, ZVS in combination with pulse transformer for isolation Description The 1EDN7x/1EDN8x is an advanced single-channel driver. It is suited to drive logic and normal level MOSFETs and supports OptiMOSTM, CoolMOSTM, Standard Level MOSFETs, Superjunction MOSFETs, as well as IGBTs and GaN Power devices. Data Sheet Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document www.infineon.com/1EDN Rev. 2.2 2018-04-20 PDF
Документация на 1EDN7512BXTSA1 

1EDN_4A_8A.book

Дата модификации: 20.04.2018

Размер: 1.14 Мб

28 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    16 апреля 2019
    статья

    Infineon решает проблему колебания потенциала земли

    При управлении высоковольтным МОП–транзистором в нижнем плече импульсного источника питания драйверы затвора 1EDN7550B и 1EDN8550B производства Infineon обеспечивают устойчивость к смещениям земли в конструкциях с большими однослойными... ...читать

    27 марта 2019
    новость

    1EDN7511B и 1EDN8511B – новые одноканальные драйверы MOSFET от Infineon

    Компания Infineon представила новые драйверы управления затвором транзисторов 1EDN7511B и 1EDN8511B семейства EiceDRIVER. Данные драйверы прекрасно подходят для управления MOSFET–транзисторами (семейства OptiMOS, CoolMOS, Superjunction... ...читать

    15 марта 2019
    новость

    1ED44176 - новый драйвер MOSFET и IGBT с токовой защитой

    Компания Infineon представила новый одноканальный драйвер затвора для силового MOSFET или IGBT транзистора – 1ED44176N01F  – драйвер ”нижнего плеча” с максимальным напряжением собственного питания до 25 В. 1ED44176N01F... ...читать

    23 октября 2018
    статья

    Электропривод для робототехники: решения Infineon

    Для современной робототехники – основы четвертой индустриальной революции – компания Infineon производит весь спектр компонентов: от дискретных силовых диодов и транзисторов, а также сборок и микросхем управления электроприводом до датчиков... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ISO5500DW (TI)