1EDS20I12SVXUMA1

Eice DR IV ER ™ High voltage gate driver IC with reinforced isolation 1E DS -S R C f a mil y Real-time adjustable gate current control IC 1EDS20I12SV 1EDU20I12SV 1EDI20I12SV EiceDRIVER™ Preli mina r y datas he et <Revision 1.0>, 24.07.2017 Indust rial Po wer C o ntrol
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PG-DSO-36
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Напряжение изоляции
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
27 февраля
статья

Драйверы затвора с источником тока повышают быстродействие при включении IGBT

Разработчики драйверов управления транзисторами часто вынуждены использовать для включения резисторы увеличенного, в сравнении с предлагаемым в спецификации IGBT, номинала, чтобы понизить максимальное значение dvCE/dt, то есть замедлить скорость... ...читать

05 июля 2018
статья

Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET–транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.