1EDS5663HXUMA1
GaN EiceDRIVER™ product family
Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for
high-voltage enhancement-mode GaN HEMTs
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
Dedicated gate driver ICs for high-voltage GaN power switches (CoolGaN™, GIT technology based products)
– low driving impedance (on-resistance 0.85 Ω source, 0.35 Ω sink)
– resistor programmable gate current (typ. 10 mA) in steady...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Драйверы FET-IGBT
- Корпус: SO-16 SOIC16
- Норма упаковки: 100 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-16 SOIC16 | |
---|---|---|
Кол-во нижних каналов | ||
Кол-во верхних каналов | ||
Максимальное напряжение смещения | ||
Максимальный выходной ток нарастания | ||
Максимальный выходной ток спада | ||
Напряжение изоляции | ||
Рабочая температура | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 1EDS5663HXUMA1
GaN EiceDRIVER™ product family Single-channel functional and reinforced isolated gate-drive ICs for 600V enhancement-mode GaN HEMTs
Дата модификации: 18.02.2019
Размер: 1.27 Мб
37 стр.
Публикации 6
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.