2ED2304S06FXLLA1

 

Технические характеристики

показать свернуть
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Рабочая температура
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
10 июня
статья

Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с... ...читать

24 мая 2019
новость

2ED2304S06F - новый 2-канальный 650V драйвер MOSFET

Компания Infineon представила новый полумостовой драйвер управления затвором IGBT– и MOSFET–транзисторов напряжением до 650 В со встроенным bootstrap–диодом. 2ED2304S06F относится к линейке EiceDRIVER и производится по технологии... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.