2ED2304S06FXUMA1

2ED2304S06F 2ED2304S06F 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode (BSD) Features • • • • • • • • • • • • Infineon thin-film-SOI-technology Fully operational to +650 V Floating channel designed for bootstrap operation Output source/sink current capability +0.36 A/-0.7 A Integrated Ultra-fast, low RDS(ON) Bootstrap Diode Tolerant to negative transient voltage up to -100 V (Pu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Рабочая температура
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= 2ED2304S06FXLSA1 (INFIN) PGDSO8 95 шт
P= 2ED2304S06F (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть
2ED2304S06F 2ED2304S06F 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode (BSD) Features • • • • • • • • • • • • Infineon thin-film-SOI-technology Fully operational to +650 V Floating channel designed for bootstrap operation Output source/sink current capability +0.36 A/-0.7 A Integrated Ultra-fast, low RDS(ON) Bootstrap Diode Tolerant to negative transient voltage up to -100 V (Pulse width is up 300 ns) given by SOI-technology 10 ns typ., 60 ns max. propagation delay matching dV/dt immune ±50 V Gate drive supply range from 10 V to 20 V Undervoltage lockout for both channels 3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible RoHS compliant Product summary VOFFSET IO+/- (typ.) VOUT Delay Matching Internal deadtime ton/off (typ.) = 670 V max. = 0.36 A/0.7 A = 10 V - 17.5 V = 60 ns max. = 75 ns = 310 ns/300 ns Package DSO-8 Potential applications • • • Motor drives, General purpose inverters Refrigeration compressors Half-bridge and full-bridge converters in offline AC-DC power supplies for telecom and lighting Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22. Description The 2ED2304S06F is a 650-V half-bridge gate driver. Its Infineon thin-film-SOI technology provides excellent ruggedness and noise immunity. The Schmitt trigger logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL logic down to 3.3 V. The output drivers features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 650 V. Additionally, the offline clamping function provides an inherent protection of the parasitic turn-on by floating gate conditions when IC is not supplied. DC-Bus VCC +5V µC VB HO 2EDL05x06yy VS VCC PWM_H HIN PWM_L LIN GND GND LO To Load To Opamp / Comparator Refer to lead assignments for correct pin configuration. This diagram show electrical connections only. Please refer to our application notes and design tips for proper circuit board layout. - DC-Bus Figure 1 Typical application diagram 2ED2304S06F Datasheet Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document www.infineon.com/2ED2304 1 of 13 Version 2.4 2019-01-24 PDF
Документация на 2ED2304S06FXLSA1 

2ED2304S06F-650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode (BSD) The 2ED2304S06F is a 650-V half-bridge gate driver. Its Infineon thin-film-SOI technology provides excellent ruggedne...

Дата модификации: 01.02.2019

Размер: 555.9 Кб

13 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    10 июня 2020
    статья

    Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon

    Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с... ...читать

    29 апреля 2020
    статья

    Обзор линейки драйверов затвора компании Infineon

    Александр Русу (г. Одесса) В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения... ...читать

    24 мая 2019
    новость

    2ED2304S06F - новый 2-канальный 650V драйвер MOSFET

    Компания Infineon представила новый полумостовой драйвер управления затвором IGBT– и MOSFET–транзисторов напряжением до 650 В со встроенным bootstrap–диодом. 2ED2304S06F относится к линейке EiceDRIVER и производится по технологии... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.