2EDF7275FXUMA1

EiceDRIVER™ 2EDi product family Fast, robust, dual-channel, functional and rein forced isolated MOSFET gate-driver wi th accurate and stable ti ming Description The EiceDRIVER™ 2EDi is a family of fast dual-channel isolated MOSFET gate-driver ICs providing functional (2EDFx) or reinforced (2EDSx) input-to-output isolation by means of coreless transformer (CT) technology. Due to high driving cur...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-16 SOIC16
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Напряжение изоляции
Опции Программируемый Dead-Time 15-250 ns
Рабочая температура
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= 2EDF7275F (INFIN)
 
A- 2EDF9275FXUMA1 (INFIN) PGDSO16 100 шт
 
Программируемый Dead-Time 15-250 ns

Файлы 1

показать свернуть
EiceDRIVER™ 2EDi product family Fast, robust, dual-channel, functional and rein forced isolated MOSFET gate-driver wi th accurate and stable ti ming Description The EiceDRIVER™ 2EDi is a family of fast dual-channel isolated MOSFET gate-driver ICs providing functional (2EDFx) or reinforced (2EDSx) input-to-output isolation by means of coreless transformer (CT) technology. Due to high driving current, excellent common-mode rejection and fast signal propagation, 2EDi is particularly well suited for driving medium- to high-voltage MOSFETs (CoolMOS™, OptiMOS™, CoolSIC™) in fast-switching power systems. Features • • • • • • • • • • 4 A / 8 A or 1 A / 2 A source / sink output current Up to 10 MHz PWM switching frequency PWM signal propagation delay typ. 37 ns with – 3 ns channel-to-channel mismatch – +7/-6 ns propagation delay variance Resistor-programmable Dead Time Control (DTC) ranging from 15 ns to 250 ns Common Mode Transient Immunity CMTI >150 V/ns Fast safety turn-off in case of input side Undervoltage Lockout (UVLO) Output supply voltage from 4.5 V to 20 V with 4 V or 8 V UVLO threshold Wide temperature operating range TJ = -40°C to +150°C RoHS compliant wide /narrow-body (WB/NB) DSO16 and 5 mm x 5 mm LGA packages Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Isolation and safety certificates • • 2EDSx with reinforced isolation: – DIN V VDE V 0884-10 (2006-12) compliant with VIOTM = 8 kVpk and VIOSM = 6.25 kVpk (tested at 10kVpk) – certified according to UL1577 (Ed. 5) opto-coupler component isolation standard with VISO = 5700 VRMS – certified according to DIN EN 62368-1 and DIN EN 60950-1 and corresponding CQC certificates – certified according to EN 61010-1 (reinforced isolation, 300 Vrms mains voltage, overvoltage category III) 2EDFx with functional isolation: Production test with 1.5 kVDC for 10 ms VDD > 3.5V RVDDI VDD 8 CVDDI VBus VDDA VDDI (3.3V) SLDON Controller UVLO UVLO SLDO RX TX Rg1 OUTA Logic M1 Control Logic PWM2 INB 8 CVDDA GNDA Vsw Isolation 8 Input-to-Output INA PWM1 Channel-to-Channel Isolation Dboot VDDB Aux Power (12V) UVLO DISABLE GPIOx TX 8 RDTC DTC GND 3 GNDI RX OUTB Rg2 Logic M2 Dead Time Control GNDB CVDDB PGND Final datasheet www.infineon.com Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document Rev. 2.5 2020-03-17 PDF
Документация на серию 2ED 

EiceDRIVER™ 2EDi Product Family Dual-channel isolated 2EDSx reinforced, 2EDFx functional isolated 4 A /8 A, 1 A/2 A gate driver ICs EiceDriver™ 2EDi Product Family

Дата модификации: 22.04.2020

Размер: 1.45 Мб

38 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    10 сентября 2020
    новость

    Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

    Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов –... ...читать

    17 августа 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 2

    Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид–кремниевые (SiC) и нитрид–галлиевые (GaN)... ...читать

    10 августа 2020
    новость

    2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER

    Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции.... ...читать

    20 июля 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 1

    Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS,... ...читать

    14 июня 2018
    новость

    Новые 650V IGBT c дополнительным выводом эмиттера в корпусе TO-247-4 от Infineon

    Компания Infineon представила IGBT транзисторы TRENCHSTOP™ 5–го поколения в новом 4–х выводном корпусе TO–247–4. Четвертый дополнительный вывод является вторым эмиттерным и соединяется непосредственно с драйвером для... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.