2EDL05I06BFXUMA1

Eice DR IV ER ™ Co m pac t High voltage gate driver IC 2E DL fa mi ly 600 V half bridge gate drive IC 2EDL05I06PF 2EDL05I06PJ 2EDL05I06BF 2EDL05N06PF 2EDL05N06PJ EiceDRIVER™ Compact Final dat a sheet <Revision 2.6>, 01.06.2016 Final Indust rial Po wer C o ntrol
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= 2EDL05I06BF (INFIN) PGDSO8
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 2

показать свернуть
22 мая
статья

Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология... ...читать

13 ноября 2017
2EDL-INFINEON
новость

2EDL - новые полумостовые драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

Компания Infineon запустила производство двухканальных драйверов силовых транзисторов в полумостовой схеме. Новые драйверы 2EDL рассчитаны на напряжение смещения до 600 В и сочетают в себе высокую надежность и низкую стоимость. Межканальная... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.