2EDL05N06PF

"Драйвер затворов верхнего и нижнего ключей для IGBT Параметры: Количество каналов: 2 Тип управляемых транзисторов: MOSFET; Напряжение блокировки 600 В; Ток выхода +0.36 / -0.7 А Время задержки: 310 нс Максимальная частота коммутации: 100 кГц Корпус DSO-8'"
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Опции Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver
Примечание Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= FAN7382MX (ONS-FAIR) SO-8 SOIC8 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 5

показать свернуть
18 ноября 2020
статья

Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с... ...читать

22 октября 2020
статья

Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология... ...читать

23 октября 2018
статья

Электропривод для робототехники: решения Infineon

Для современной робототехники – основы четвертой индустриальной революции – компания Infineon производит весь спектр компонентов: от дискретных силовых диодов и транзисторов, а также сборок и микросхем управления электроприводом до датчиков... ...читать

13 ноября 2017
2EDL-INFINEON
новость

2EDL - новые полумостовые драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

Компания Infineon запустила производство двухканальных драйверов силовых транзисторов в полумостовой схеме. Новые драйверы 2EDL рассчитаны на напряжение смещения до 600 В и сочетают в себе высокую надежность и низкую стоимость. Межканальная... ...читать

01 сентября 2017
статья

600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах

Продолжая тему новой линейки MOSFET производства Infineon CoolMOS™ P7, статья рассказывает о практических преимуществах применения этих изделий в 500–ваттном импульсном источнике с ККМ, 600–ваттном полумостовом резонансном... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.