2EDN7524F

EiceDRIVER™ 2EDN752x / 2EDN852x Features Fast, precise, strong and compatible • Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching • 1 ns channel-to-channel propagation delay accuracy enables safe use of two channels in parallel • Two independent 5 A channels enable numerous deployment options • Industry standard...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGDSO8
Максимальный выходной ток спада
Опции Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 5A, PDSO8
Примечание Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 5A, PDSO8
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
PA 2EDN7524FXTMA1 (INFIN) PGDSO8 2500 шт Rail-to-rail выход, защита UVLO 4,2В, прямое управление Устойчивость к входному напряжению до -10 В, задержка распространения сигнала 17 нс, рассогласованность выходных сигналов 1 нс

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 2EDN7523RXUMA1 

Дата модификации: 20.04.2018

Размер: 1.15 Мб

31 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    14 декабря 2020
    статья

    Схемы и решения для управления затвором на базе ИС драйверов серии EiceDriver от Infineon

    Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies) Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN–TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим... ...читать

    10 ноября 2020
    статья

    Каждой топологии – своя технология. Часть 1

    Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS,... ...читать

    21 декабря 2017
    новость

    Новые двухканальные драйверы MOSFET и IGBT серии 2EDN от Infineon

    Компания Infineon представила новые двухканальные драйверы MOSFET и IGBT транзисторов нижнего плеча серии 2EDN для применения в составе источников питания высокой мощности. Драйверы сочетают в себе отличную функциональность, простую схемотехнику и... ...читать

    01 сентября 2017
    статья

    600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах

    Продолжая тему новой линейки MOSFET производства Infineon CoolMOS™ P7, статья рассказывает о практических преимуществах применения этих изделий в 500–ваттном импульсном источнике с ККМ, 600–ваттном полумостовом резонансном... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.