AUIRGP50B60PD1

IGBT 600V 75A 390W TO247AC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- IKW50N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- IKQ40N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKW75N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N60TFKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 428W TO247-3
A- IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт
 
650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 100A 333W TO247-3
A- IKW50N65F5FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
A- IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW40N120T2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW30N60H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 187W TO247-3
A- IKW25T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
A- IKP08N65F5XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
A- IKA15N65ET6XKSA2 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IKA10N65ET6XKSA2 (INFIN) TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт
A- IKA08N65ET6XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 

Файлы 2

показать свернуть
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1-E AUTOMOTIVE GRADE WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A C Applications • Automotive HEV and EV • PFC and ZVS SMPS Circuits Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A G Features E • Low VCE(ON) NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * n-channel Benefits • Parallel Operation for Higher Current Applications • Lower Conduction Losses and Switching Losses • Higher Switching Frequency up to 150kHz G C E G Ordering Information Base part number Package Type AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E TO-247AC TO-247AD Standard Pack Form Tube Tube E TO-247AD AUIRGP50B60PD1-E TO-247AC AUIRGP50B60PD1 G Gate C C Collector E Emitter Complete Part Number Quantity 25 25 AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E Absolute Maximum Ratings Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified. Parameter Max. Units 600 75 V VCES Collector-to-Emitter Voltage IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 45 ICM 150 ILM Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4) Clamped Inductive Load Current IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current 40 IF @ TC = 100°C IFRM Diode Continous Forward Current Maximum Repetitive Forward Current VGE Gate-to-Emitter Voltage ±20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 390 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 156 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range h d 150 A 15 e 60 -55 to +150 Soldering Temperature for 10 sec. °C 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Min. Typ. Max. Units RθJC (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) Parameter ––– ––– 0.32 °C/W RθJC (Diode) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) ––– ––– 1.7 RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 Weight ––– 6.0 (0.21) ––– g (oz) *Qualification standards can be found at http://www.irf.com/ 1 www.irf.com © 2013 International Rectifier May 02, 2013 PDF
Документация на серию AUIRGP50B60PD1 

AUIRGP50B60PD1-E Product Datasheet

Дата модификации: 18.06.2013

Размер: 340.4 Кб

12 стр.

PD - 96306A AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A C Applications • Automotive HEV and EV • PFC and ZVS SMPS Circuits Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A G Features • Low VCE(ON) NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * E n-channel G Benefits • Parallel Operation for Higher Current Applications • Lower Conduction Losses and Switching Losses • Higher Switching Frequency up to 150kHz Absolute Maximum Ratings C E G E TO-247AD AUIRGP50B60PD1E TO-247AC AUIRGP50B60PD1 G Gate C C Collector E Emitter Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified. Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 600 75 V IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 45 ICM 150 ILM Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4) Clamped Inductive Load Current IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current 40 IF @ TC = 100°C IFRM Diode Continous Forward Current Maximum Repetitive Forward Current VGE Gate-to-Emitter Voltage ±20 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 390 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range h d 150 A 15 e 60 156 -55 to +150 Soldering Temperature for 10 sec. °C 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Min. Typ. Max. Units RθJC (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) Parameter ––– ––– 0.32 °C/W RθJC (Diode) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) ––– ––– 1.7 RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 Weight ––– 6.0 (0.21) ––– g (oz) *Qualification standards can be found at http://www.irf.com/ www.irf.com 1 11/02/10 PDF
Документация на серию AUIRGP50B60PD1 

AUIRGP50B60PD1/E Product Data Sheet

Дата модификации: 03.11.2010

Размер: 473.6 Кб

14 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    21 декабря 2011
    статья

    Без датчика положения ротора: решения компании IR для управления вентильными двигателями

    Известно, что системами электропривода потребляется значительная часть вырабатываемой в мире электроэнергии, поэтому ученые и инженеры во всех странах стремятся максимально повысить потребительские свойства электроприводов. Одним из... ...читать

    04 января 2011
    новость

    AUIRS2191S и AUIRGP50B60PD1 – новые решения для мощных преобразователей энергии

    International Rectifier представил новые высоконадежные дискретные решения для энергоэффективных автомобильных DC–DC приложений: AUIRS2191S – двухканальный 600–вольтовый драйвер и AUIRGP50B60PD1 – 600–вольтовый IGBT, выполненный... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.