BFP196WNH6327XTSA1

BFP196WN Low noise silicon bipolar RF transistor Product description • NPN silicon planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from Infineon long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at benchmark quality and reliability. Features • • • • • ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SC82AB
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

    Публикации 1

    показать свернуть
    03 октября 2017
    bfp196wn
    новость

    BFP196WN - недорогое решение для усилителя мощности до 7.5 ГГц

    Радиочастотный транзистор BFP196WNH6327XTSA1 с граничной полосой 7,5 ГГц предназначен для создания линейных широкополосных усилителей в антенных трактах коммуникационных систем. Транзистор BFP196W можно использовать в качестве усилителя мощности... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.