BSC028N06NSSCATMA1

BSC028N06NSSC MOSFET OptiMOSTMPower-Transistor,60V PG-WSON-8-2 Features •Doublesidecooledpackage-withlowestJunction-topthermalresistance •175°Crated •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100%avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 tab 5 4 3 2 Gate Pin 4 T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGWSON8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 3

показать свернуть
31 декабря
новость

Новые MOSFET OptiMOS 5 с двухсторонним охлаждением

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET с двусторонним охлаждением, входящую в семейство OptiMOS 5. Новые транзисторы поставляются в корпусе SuperSO8 5×6 SC (super cooling), что позволяет улучшить отвод тепла и создавать приложения... ...читать

16 июня 2017
статья

Как выбрать оптимальные полевые транзисторы для синхронных выпрямителей

Применение синхронных выпрямителей – лучший способ снижения потерь во вторичных цепях преобразователей энергии. А полевые транзисторы из линейки OptiMOS™ производства Infineon с напряжением 30…150 В отлично подходят для этой цели.... ...читать

19 сентября 2016
статья

Тепловой расчет MOSFET при больших импульсных токах нагрузки

В условиях применения в приложении с большими импульсными токами нагрузки силовые MOSFET с тонкими чипами и низким сопротивлением в проводящем состоянии обеспечивают значительное преимущество, но требуют аккуратного теплового расчета. В статье... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.