BSC028N06NSSCATMA1
BSC028N06NSSC
MOSFET
OptiMOSTMPower-Transistor,60V
PG-WSON-8-2
Features
•Doublesidecooledpackage-withlowestJunction-topthermalresistance
•175°Crated
•OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec.
•100%avalanchetested
•Superiorthermalresistance
•N-channel
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
tab
5
4
3
2
Gate
Pin 4
T...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PGWSON8
- Норма упаковки: 4000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PGWSON8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BSC028N06NSSCATMA1
Datasheet BSC028N06NSSC Datasheet BSC028N06NSSC Rev. 2.0
Дата модификации: 24.11.2020
Размер: 934.5 Кб
11 стр.
Публикации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.