BSC093N15NS5

Infineon
BSC093N15NS5 MOSFET OptiMOSTM5Power-Transistor,150V SuperSO8 8 Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsy...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: PGTDSON8

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
PA BSC093N15NS5ATMA1 (INFIN)
 
PGTDSON8 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
BSC093N15NS5 MOSFET OptiMOSTM5Power-Transistor,150V SuperSO8 8 Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification Value Unit VDS 150 V RDS(on),max 9.3 mΩ ID 87 A Qrr 58 nC Type/OrderingCode Package BSC093N15NS5 PG-TDSON-8 1) 5 6 2 Marking 093N15NS 3 6 5 4 1 Table1KeyPerformanceParameters Parameter 7 3 2 4 7 8 1 S1 8D S2 7D S3 6D G4 5D RelatedLinks - J-STD20 and JESD22 Final Data Sheet 1 Rev.2.3,2020-01-27 PDF
Документация на BSC093N15NS5 

Datasheet BSC093N15NS5 Datasheet BSC093N15NS5 Rev. 2.3

Дата модификации: 27.01.2020

Размер: 917.5 Кб

10 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    28 декабря 2021
    статья

    Способы повышения КПД и удельной мощности инверторов для солнечных электростанций

    Мустафа Хазреи, Дамиан Зупанчич (Infineon) Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов для солнечных батарей – новую карбид–кремниевую или традиционную кремниевую? Специалисты Infineon приходят к неожиданному выводу:... ...читать

    23 августа 2019
    статья

    Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

    Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий–ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.... ...читать

    01 сентября 2017
    статья

    Высокоэффективные низковольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 – где применять?

    В пятом номере «Новостей электроники» мы писали о выборе транзистора из линейки OptiMOS™ производства Infineon для синхронных импульсных преобразователей, исходя из оптимального соотношения потерь проводимости и переключения. Если добавить к... ...читать

    01 сентября 2017
    статья

    600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах

    Продолжая тему новой линейки MOSFET производства Infineon CoolMOS™ P7, статья рассказывает о практических преимуществах применения этих изделий в 500–ваттном импульсном источнике с ККМ, 600–ваттном полумостовом резонансном... ...читать

    02 августа 2017
    новость

    OptiMOS™ 5 150V – новое слово в области низковольных MOSFET

    Линейка MOSFET транзисторов Infineon OptiMOS™ 5 на 150В находит свое применение в низковольтных преобразователях мощности. Транзисторы новой серии получили улучшенное сопротивление RDS(on), что дает значительное уменьшение потерь проводимости.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.