BSC160N15NS5ATMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGTDSON8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 3

показать свернуть
28 декабря
статья

Способы повышения КПД и удельной мощности инверторов для солнечных электростанций

Мустафа Хазреи, Дамиан Зупанчич (Infineon) Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов для солнечных батарей – новую карбид–кремниевую или традиционную кремниевую? Специалисты Infineon приходят к неожиданному выводу:... ...читать

01 сентября 2017
статья

Высокоэффективные низковольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 – где применять?

В пятом номере «Новостей электроники» мы писали о выборе транзистора из линейки OptiMOS™ производства Infineon для синхронных импульсных преобразователей, исходя из оптимального соотношения потерь проводимости и переключения. Если добавить к... ...читать

02 августа 2017
новость

OptiMOS™ 5 150V – новое слово в области низковольных MOSFET

Линейка MOSFET транзисторов Infineon OptiMOS™ 5 на 150В находит свое применение в низковольтных преобразователях мощности. Транзисторы новой серии получили улучшенное сопротивление RDS(on), что дает значительное уменьшение потерь проводимости.... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.