BSM100GB60DLCHOSA1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 600 V Tc= 70°C IC,nom. 100 A Tc= 25°C IC 130 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repe...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Примечания
Корпус AG-34MM-1
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 600 V Tc= 70°C IC,nom. 100 A Tc= 25°C IC 130 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 70°C ICRM 200 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Ptot 445 W VGES +/- 20V V IF 100 A IFRM 200 A I2t 1.250 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 1,95 2,45 V - 2,20 - V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Cies - 4,3 - nF Cres - 0,4 - nF - 1 500 µA - 1 - mA - - 400 nA Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 125°C IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C prepared by: Andreas Vetter ICES date of publication: 2000-04-26 approved by: Michael Hornkamp VCE sat revision: 1 1 (8) IGES BSM 100 GB 60 DLC 2000-02-08 PDF
Документация на BSM100GB60DLCHOSA1 

eupec data sheet

Дата модификации: 16.09.2004

Размер: 129 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.