BSM200GB60DLCHOSA1

IGBT силовой модуль -
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Примечания
Корпус AG-34MM-1
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P- SKM195GB066D (SMK) SEMITRANS2 8 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 2]; Схема: GB; Напряжение: 600 В; Ток: 200 А; Технолог...

Файлы 1

показать свернуть
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 600 V Tc= 50°C IC,nom. 200 A Tc= 25°C IC 230 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 50°C ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Ptot 730 W VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A I2t 4.050 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 1,95 2,45 V - 2,20 - V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C VCE sat Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 9 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,8 - nF - 1 500 µA - 1 - mA - - 400 nA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26 approved by: Michael Hornkamp ICES revision: 1 1 (8) IGES BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08 PDF
Документация на BSM200GB60DLCHOSA1 

eupec data sheet

Дата модификации: 16.09.2004

Размер: 126.4 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.