BSM50GB120DLC

LS: полупроводниковый
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 1200 V T C = 80 °C IC,nom. 50 A T C = 25 °C IC 115 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, T C = 80°C ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C=25°C, Transistor Ptot 460 W VGES +/- 20V V IF 50 A IFRM 100 A I2t 430 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat typ. max. 2,6 - 2,1 - 2,4 VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V IC = 50A, VGE = 15V, Tvj = 125°C V V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 2mA, VCE = VGE, T vj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V QG - 0,53 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 3,3 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - t.b.d. - nF VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES 500 Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C prepared by: Mark Münzer date of publication: 15.5.1999 approved by: revision: 1 1(8) IGES - 10 - 500 - - µA µA 400 nA Datenblatt_BSM50GB120DLC.xls PDF
Документация на BSM50GB120DLC 

Datenblatt_BSM50GB120DLC.xls

Дата модификации: 08.07.1999

Размер: 84.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.