F475R12KS4BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F4-75R12KS4 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= F475R12KS4 (INFIN)
 

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F4-75R12KS4 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 75 100  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  150  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  500  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 3,20 3,85 3,75 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,80  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  5,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  5,10  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,30  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,12 0,13  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,05 0,06  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,31 0,36  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,02 0,03  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V RGon = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  9,00  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  3,80  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   0,25 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 450  A °C PDF
Документация на F475R12KS4BOSA1 

Datenblatt / Datasheet F4-75R12KS4 Datenblatt / Datasheet F4-75R12KS4 Rev. 2.0 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 456.5 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 апреля 2019
    статья

    Гибкая – не значит гнущаяся: новая платформа XHP для мощных IGBT-модулей Infineon

    Сегодня платформа XHP™ производства Infineon включает в себя всего три мощных IGBT–модуля, однако с помощью этого жесткого комплексного решения за счет сбалансированности всех его частей она имеет все шансы стать стандартом для... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.