FD150R12RT4HOSA1

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Корпус AG-34MM-1
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на FD150R12RT4 

Datenblatt / Datasheet FD150R12RT4 Datenblatt / Datasheet FD150R12RT4 Rev. 2.3 (de / en)

Дата модификации: 05.11.2013

Размер: 668.2 Кб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    16 апреля 2019
    статья

    Гибкая – не значит гнущаяся: новая платформа XHP для мощных IGBT-модулей Infineon

    Сегодня платформа XHP™ производства Infineon включает в себя всего три мощных IGBT–модуля, однако с помощью этого жесткого комплексного решения за счет сбалансированности всех его частей она имеет все шансы стать стандартом для... ...читать

    20 ноября 2014
    статья

    IGBT-модули от International Rectifier: борьба за снижение потерь энергии

    В 1983 году компания International Rectifier запатентовала первый транзистор, основанный на технологии IGBT. Позже эта технология была усовершенствована другими компаниями, но IR активно использовал имевшийся опыт, что позволило в итоге занять на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.