FF1400R17IP4BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1400R17IP4 PrimePACK™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC PrimePACK™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1700V IC nom = 1400A / ICRM = 2800A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Hilfsumrichter • ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1400R17IP4 PrimePACK™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC PrimePACK™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1700V IC nom = 1400A / ICRM = 2800A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Hilfsumrichter • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • Windgeneratoren TypicalApplications • 3-Level-Applications • AuxiliaryInverters • HighPowerConverters • MotorDrives • WindTurbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • GroßeDC-Festigkeit • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • HighDCStability • HighCurrentDensity • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • Kupferbodenplatte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • HighCreepageandClearanceDistances • HighPowerandThermalCyclingCapability • HighPowerDensity • CopperBasePlate • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:TA dateofpublication:2013-11-05 approvedby:PL revision:2.4 1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PDF
Документация на FF1400R17IP4BOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF1400R17IP4 Datenblatt / Datasheet FF1400R17IP4 Rev. 2.4 (de / en)

Дата модификации: 06.11.2013

Размер: 688.8 Кб

10 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    28 января 2019
    статья

    Пятое поколение IGBT-модулей Infineon – новая эпоха в силовой электронике

    IGBT–модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса  между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей... ...читать

    05 сентября 2018
    статья

    Электробусы, вперед! – решения Infineon для систем накопления энергии электротранспорта

    Требования, предъявляемые к современному электротранспорту, в частности – к трамваям и троллейбусам, постоянно растут. Особое внимание уделяется работе электротранспорта в автономном режиме при временном отключении от контактной сети питания.... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    23 ноября 2016
    новость

    IHM, IHV и PrimePACK – мощные силовые модули от Infineon

    На склад Компэл поступили мощные силовые IGBT модули Infineon, предназначенные для коммутации больших токов и высоких напряжений. Они находят применение в инверторах различной конфигурации, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания... ...читать

    19 сентября 2016
    статья

    Практическая демонстрация влияния технологий IGBT5 и .XT на удельную мощность системы

    Дальнейшее увеличение удельной рассеиваемой мощности и продление сроков эксплуатации мощных силовых модулей в настоящее время ограничены на уровне топологии полупроводникового кристалла и внутренних соединений. Разработчики из компании Infineon... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.