FF1800R12IE5BPSA1

Infineon
FF1800R12IE5 PrimePACK™3+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 1800A / ICRM = 3600A TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • Highpowerconverters • Motordrives • Solarapplicati...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
FF1800R12IE5 PrimePACK™3+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 1800A / ICRM = 3600A TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • Highpowerconverters • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheKurzschlussrobustheit • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highshort-circuitcapability • Unbeatablerobustness • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-06-28 PDF
Документация на FF1800R12IE5BPSA1 

Datenblatt / Datasheet FF1800R12IE5 Datenblatt / Datasheet FF1800R12IE5 Rev. 3.0 (de / en)

Дата модификации: 28.06.2017

Размер: 809.2 Кб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    30 декабря
    статья

    Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

    Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT–чипы компании Infineon и... ...читать

    28 января 2019
    статья

    Пятое поколение IGBT-модулей Infineon – новая эпоха в силовой электронике

    IGBT–модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса  между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    L6220 (ST)