FF200R12KE3HOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 200 295  ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= SKM200GB126D (SMK) 1 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 150 А; Техноло...
P= FF200R12KE3 (INFIN) 1 шт
 
Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 200 295  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  1050  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  1,90  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  3,8  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  14,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,50  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,25 0,30  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,09 0,10  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,55 0,65  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,13 0,18  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  15,0  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  35,0  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   0,12 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 800  A °C PDF
Документация на FF200R12KE3HOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF200R12KE3 Datenblatt / Datasheet FF200R12KE3 Rev. 3.1 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 426 Кб

8 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    07 декабря 2018
    статья

    Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

    В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.