FF200R12KS4HOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KS4 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching VCES = 1200V IC nom = 200A / ICRM = 400A TypischeAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • MedizinischeAnwendungen • Motorantriebe • AnwendungenfürResonanz...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= SKM150GB12T4 (SMK) в коробках 8 шт
P= SKM200GB12V (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P= FF200R12KS4 (INFIN) 2 шт
 
P= SKM150GB12T4G (SMK) 1 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 150 А; Техноло...
P= SKM300GB126D (SMK) 1 шт Модуль IGBT. 310 A. 1200V.
P= FF200R12KE3HOSA1 (INFIN) 10 шт
 
P= SKM200GB126D (SMK) 1 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 150 А; Техноло...
P= FF200R12KE3 (INFIN) 1 шт
 
P= FF200R12KT4HOSA1 (INFIN) 10 шт
 
P= FF200R12KT4 (INFIN) 1 шт
 
P= SKM150GB12VG (SMK) IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 150 А; Техноло...
P= MG12200D-BN2MM (LTL) в коробках 6 шт IGBT 1200V 290A 1050W PKG D
P- SKM200GB12E4 (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P- SKM200GB12T4 (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P- SKM300GB125D (SMK) 12 шт Модуль IGBT. SEMITRANS. 
300A. 1200V.

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KS4 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching VCES = 1200V IC nom = 200A / ICRM = 400A TypischeAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • MedizinischeAnwendungen • Motorantriebe • AnwendungenfürResonanzUmrichter • Servoumrichter • USV-Systeme TypicalApplications • HighFrequencySwitchingApplication • MedicalApplications • MotorDrives • ResonantInverterAppliccations • ServoDrives • UPSSystems ElektrischeEigenschaften • Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom • NiedrigeSchaltverluste • SehrgroßeRobustheit • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent • LowSwitchingLosses • UnbeatableRobustness • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • HighCreepageandClearanceDistances • IsolatedBasePlate • CopperBasePlate • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.4 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 PDF
Документация на FF200R12KS4HOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF200R12KS4 Datenblatt / Datasheet FF200R12KS4 Rev. 3.4 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 630.6 Кб

9 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    16 апреля 2019
    статья

    Гибкая – не значит гнущаяся: новая платформа XHP для мощных IGBT-модулей Infineon

    Сегодня платформа XHP™ производства Infineon включает в себя всего три мощных IGBT–модуля, однако с помощью этого жесткого комплексного решения за счет сбалансированности всех его частей она имеет все шансы стать стандартом для... ...читать

    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    07 декабря 2018
    статья

    Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

    В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.