FF200R12KT4HOSA1

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Корпус AG-62MM-1
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= SKM200GB12V (SMK) SEMITRANS3 в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P= SKM200GB12E4 (SMK) SEMITRANS3 в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P= SKM400GB126D (SMK) SEMITRANS3 в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Техноло...
P= SKM300GB125D (SMK) SEMITRANS3 12 шт Модуль IGBT. SEMITRANS. 
300A. 1200V.
P= SKM200GB12T4 (SMK) SEMITRANS3 в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P= SKM150GB12T4G (SMK) SEMITRANS3 1 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 150 А; Техноло...

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KT4 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlleddiode VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 200 320  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  1100  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,75 2,05 2,10 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  1,80  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  3,8  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  14,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,50  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA td on  0,16 0,17 0,18  µs µs µs tr  0,04 0,045 0,50  µs µs µs td off  0,45 0,52 0,54  µs µs µs tf  0,10 0,16 0,16  µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C Eon  10,0 15,0 17,0  mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C Eoff  14,0 20,0 23,0  mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,034 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 800  A 0,135 K/W K/W 150 °C PDF
Документация на FF200R12KT4 

Datenblatt / Datasheet FF200R12KT4 Datenblatt / Datasheet FF200R12KT4 Rev. 2.0 (de / en)

Дата модификации: 04.11.2013

Размер: 467.3 Кб

8 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    16 апреля 2019
    статья

    Гибкая – не значит гнущаяся: новая платформа XHP для мощных IGBT-модулей Infineon

    Сегодня платформа XHP™ производства Infineon включает в себя всего три мощных IGBT–модуля, однако с помощью этого жесткого комплексного решения за счет сбалансированности всех его частей она имеет все шансы стать стандартом для... ...читать

    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    07 декабря 2018
    статья

    Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

    В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    20 ноября 2014
    статья

    IGBT-модули от International Rectifier: борьба за снижение потерь энергии

    В 1983 году компания International Rectifier запатентовала первый транзистор, основанный на технологии IGBT. Позже эта технология была усовершенствована другими компаниями, но IR активно использовал имевшийся опыт, что позволило в итоге занять на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.