FF200R17KE3HOSA1

 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= GD200HFX170C2S (STARPWR)
 

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R17KE3 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled³Diode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled³diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 200 310  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  1250  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C A A VCE sat typ. max. 2,00 2,40 2,45 V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  2,30  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  3,8  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  18,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,60  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   3,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,28 0,30  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,08 0,10  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,80 1,00  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,12 0,20  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  58,0 78,0  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  43,0 63,0  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,033 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:HS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 800  A 0,10 K/W K/W 125 °C PDF
Документация на FF200R17KE3 

Datenblatt / Datasheet FF200R17KE3 Datenblatt / Datasheet FF200R17KE3 Rev. 2.1 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 429.7 Кб

8 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    05 сентября 2018
    статья

    Электробусы, вперед! – решения Infineon для систем накопления энергии электротранспорта

    Требования, предъявляемые к современному электротранспорту, в частности – к трамваям и троллейбусам, постоянно растут. Особое внимание уделяется работе электротранспорта в автономном режиме при временном отключении от контактной сети питания.... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.