FF225R12ME3BOSA1

技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 IGBT-modules FF225R12ME3 EconoDUAL™ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUAL™modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode 初步数据 PreliminaryData IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedValues 集电极-发射极电压 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 IGBT-modules FF225R12ME3 EconoDUAL™ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUAL™modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode 初步数据 PreliminaryData IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedValues 集电极-发射极电压 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 225 325  集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  450  A 总功率损耗 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  1150  W 栅极-发射极峰值电压 Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V 特征值/CharacteristicValues min. 集电极-发射极饱和电压 Collector-emittersaturationvoltage IC = 225 A, VGE = 15 V IC = 225 A, VGE = 15 V 栅极阈值电压 Gatethresholdvoltage IC = 9,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C 栅极电荷 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  2,10  µC 内部栅极电阻 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  3,3  Ω 输入电容 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  16,0  nF 反向传输电容 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,75  nF 集电极-发射极截止电流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA 栅极-发射极漏电流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA 开通延迟时间(电感负载) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,25 0,30  µs µs 上升时间(电感负载) Risetime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,09 0,10  µs µs 关断延迟时间(电感负载) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,55 0,65  µs µs 下降时间(电感负载) Falltime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,13 0,16  µs µs 开通损耗能量(每脉冲) Turn-onenergylossperpulse IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, di/dt = 3900 A/µs RGon = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  10,0 15,0  mJ mJ 关断损耗能量(每脉冲) Turn-offenergylossperpulse IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs RGoff = 3,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  24,0 36,0  mJ mJ 短路数据 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  结-外壳热阻 Thermalresistance,junctiontocase 每个IGBT/perIGBT RthJC   外壳-散热器热阻 Thermalresistance,casetoheatsink 每个IGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,03 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.2 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 900  A 0,11 K/W K/W 125 °C PDF
Документация на FF225R12ME3BOSA1 

数据表 / Datasheet FF225R12ME3 数据表 / Datasheet FF225R12ME3 Rev. 2.2 (zh / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 717.9 Кб

8 стр.

Technische Information / technical information FF225R12ME3 IGBT-Module IGBT-modules EconoDUAL™ Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode EconoDUAL™ module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorläufige Daten / preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values " # $ % % " 1 % 1, : " $ ; " ? @ ? % % # $ ; " &'( ) *+, -./0 ! - &. ) 2 +,3 &'( ) !* +, &. ) *+,3 &'( ) !* +, 4. 567 4. * 8 * 9 9 <)! 4.=> * 9 &. ) *+,3 &'( ) !* +, :A6A !!* % % -B/0 CD -./ GHA !3 3 Charakteristische Werte / characteristic values " # $F % % % % ? % $ @ % % % 4 ? % # % % " R "@ " " ? % ; F ; F # ;T% % ; U V U U 9 " V W ;T% ; U U " W W % ; W U V U Q W W V W W # % : 9 % : % ; $, F @ b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`& 4?`& 3_ N - -3 &'( ) *+, - 838 O;3 &'( ) *+,3 -./ ) * -3 -B/ ) -3 -B/ ) 3* BM5A )! -3 &'( ) *+, *32 - L, ,MPG -3 -B/ ) *3 E 3!* 3! - 4. ) * 93 -./ ) -3 V0 ) 2 O -B/ ) X!* -3 D ) 8I 9DL U&'()! *+,W B65 ) 838 N % 4 KB O;3 &'( ) *+,3 -./ ) * -3 -B/ ) -./ ) " % % ; U C!* - )! -./ ) ! # 9 -B/AJ &'( ) *+, % " # 93 -./ ) -B/3 &'( ) *+, -B/ ) !* @ &'( ) *+, &'( ) ! *+, * 93 -B/ ) !* * 93 -B/ ) !* - 4. ) I3 % ? % 4. ) 4. ) - I AJa. 4?`& D 4?`& c<HGAP ) ! DU ^ W D cdSPHGP ) ! ! 1 DU ^ W AJ.e 9 3!! 3 8 D D PDF
Документация на FF225R12ME3BOSA1 

eupec

Дата модификации: 04.06.2007

Размер: 275.4 Кб

8 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.