FF2MR12KM1HOSA1

Infineon
FF2MR12KM1 62mmC-SeriesモジュールCoolSiC™TrenchMOSFET内蔵 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET 暫定データ/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 500A / IDRM = 1000A アプリケーションの可能性 • DC/DCコンバーター • UPSシステム • ソーラーアプリケーション • 高周波スイッチングアプリケーション PotentialApplications • DC/DCconverter • UPSsystems • Solarapplications • HighFreq...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 100°C
Рабочий диапазон напряжений затвора
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
FF2MR12KM1 62mmC-SeriesモジュールCoolSiC™TrenchMOSFET内蔵 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET 暫定データ/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 500A / IDRM = 1000A アプリケーションの可能性 • DC/DCコンバーター • UPSシステム • ソーラーアプリケーション • 高周波スイッチングアプリケーション PotentialApplications • DC/DCconverter • UPSsystems • Solarapplications • HighFrequencySwitchingapplication 電気的特性 • 低スイッチング損失 • 高い電流密度 ElectricalFeatures • Lowswitchinglosses • Highcurrentdensity ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-04-28 PDF
Документация на FF2MR12KM1HOSA1 

シート / Datasheet FF2MR12KM1 シート / Datasheet FF2MR12KM1 Rev. 2.0 (ja / en)

Дата модификации: 28.04.2020

Размер: 694.2 Кб

8 стр.

FF2MR12KM1 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 500A / IDRM = 1000A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-04-28 PDF
Документация на FF2MR12KM1HOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF2MR12KM1 Datenblatt / Datasheet FF2MR12KM1 Rev. 2.0 (de / en)

Дата модификации: 28.04.2020

Размер: 530.8 Кб

8 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    30 декабря 2020
    статья

    Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

    Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT–чипы компании Infineon и... ...читать

    04 декабря 2020
    статья

    Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

    Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид–кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к... ...читать

    20 октября 2020
    новость

    Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

    Компания Infineon представила новые MOSFET–модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая... ...читать

    29 декабря 2018
    статья

    Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

    Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

    07 декабря 2018
    статья

    Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

    В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PWD13F60 (ST)