FF300R12KE4HOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF300R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlledDiode VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitt...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Примечания
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= FF300R12KE4EHOSA1 (INFIN) 10 шт
 
P= SKM300GB12V (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Техноло...
P= SKM400GB126D (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Техноло...
P= SKM200GB12E4 (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P= SKM300GB12T4 (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Техноло...
P= SKM400GB125D (SMK) 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Техноло...
P= FF300R12KS4HOSA1 (INFIN) TFSOP38 10 шт
 
P= FF300R12KS4 (INFIN) 10 шт
 
P= FF300R12KT4HOSA1 (INFIN) 10 шт
 
P= SKM600GB066D (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 600 В; Ток: 600 А; Технолог...
P= MG12200D-BA1MM (LTL) IGBT 1200V 300A 1400W PKG D
P= SKM200GB12V (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 200 А; Техноло...
P- SKM300GB12E4 (SMK) в коробках 12 шт IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 3]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Техноло...

Файлы 1

показать свернуть
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF300R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlledDiode VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 300 460  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  600  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  1600  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,75 2,00 2,05 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  2,50  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  2,5  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  19,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,70  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA td on  0,20 0,25 0,27  µs µs µs tr  0,045 0,05 0,055  µs µs µs td off  0,50 0,60 0,62  µs µs µs tf  0,10 0,16 0,18  µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,8 Ω Tvj = 150°C Eon  16,5 25,0 30,0  mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,8 Ω Tvj = 150°C Eoff  23,5 35,0 39,0  mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,032 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 1200  A 0,093 K/W K/W 150 °C PDF
Документация на FF300R12KE4HOSA1 

Datenblatt / Datasheet FF300R12KE4 Datenblatt / Datasheet FF300R12KE4 Rev. 2.1 (de / en)

Дата модификации: 04.11.2013

Размер: 452.3 Кб

8 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 января 2018
    статья

    Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

    До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из–за чего возросли требования... ...читать

    12 января 2018
    новость

    IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon

    Компания Infineon обновила семейство IGBT модулей в стандартном корпусе 62 мм, выпустив приборы с увеличенными рабочими токами. Таким образом, используя данные модули, можно повысить выходную мощность при неизменных конструктиве и размерах... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.